耳机|ASML正式传来NA EUV光刻机新消息！外媒：自由出货不远了一加科技|数码

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【耳机|ASML正式传来NA EUV光刻机新消息！外媒：自由出货不远了】

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提到光刻机，就不得不说ASML ，其是全球光刻机制造技术最先进的厂商，数据显示，中高端光刻机市场，基本上被ASML占领。
尤其是ASML研发制造的EUV光刻机，更是一机难求， ASML一直都在提升产能，以满足需求。
但随着芯片制程的提升，更先进的NA EUV光刻机也开始浮出水面，其主要用于生产制造3nm、2nm等制程的芯片。

毕竟，消息称，台积电利用先进有技术生产制造3nm芯片，其良品率也没有达到预期，最后不得不采用折中的办法。
出现这样的情况，一方面是芯片制造技术的问题，一方面是现有的DUV光刻机无法进行更高精度的曝光，需要精度更高的NA EUV光刻机。
ASML正式传来NAEUV光刻机新消息
根据外媒的报道， ASML正式传来NA EUV光刻机新消息，主要涉及价格、曝光精度以及量产交付情况。

首先是价格方面。
EUV光刻机的价格已经很高，售价超1亿美元，这已经让很多厂商叫苦连连，毕竟，光刻机的价格直接关系到芯片生产制造成本。
而全新的NA EUV光刻机，其售价更是超过3亿美元，折合人民币19亿多，如此高的售价，可能会超出很高的厂商的承受范围。
其次是曝光精度。
据悉， EUV光刻机拥有 0.33 数值孔径透镜，分辨率为13纳米，而NA EUV光刻机是EUV光刻机迭代产品，其拥有 0.55 数值孔径的镜头，分辨率为 8 纳米。

可以说，拥有更高数值孔径的NA EUV光刻机主要就是用于生产制造3/2nm等制程的芯片。
另外， NA EUV光刻机也分为两种型号，分别是WINSCAN EXE:5000和TWINSCAN EXE:5200 ，分别对应0.35 NA EUV光刻系统、0.55 NA EUV光刻系统。
其中，前者主要用于生产制造3nm制程的芯片，后者主要用于生产制造2nm等制程芯片。
根据ASML发布的消息可知，相比EUV光刻机系统而言， 0.35 NA EUV光刻系统、0.55 NA EUV光刻系统的体积更大一些，效率也更高一些。

搭载0.35 NA EUV光刻系统的WINSCAN EXE:5000光刻机每小时曝光晶圆185片，而搭载0.55 NA EUV光刻系统的TWINSCAN EXE:5200光刻机每小时曝光晶圆220片。
也就是说，台积电等厂商安装使用这两种型号的光刻机后，不仅能够进一步提升3nm等芯片的良品率，产能也将随之提升。
最后是量产交付情况。
根据ASML发布的消息， NA EUV光刻机的订单已经有四份。
2021年第四季度获得订单金额中， 0.35 NA EUV光刻系统和0.55 NA EUV光刻系统的订单金额就达到了26亿欧元。

另外，今年早些时候， ASML还收到了一份TWINSCAN EXE:5000的订单，其是英特尔下的。
据悉， TWINSCAN EXE:5000将会在今年下半年出货将会在今年下半年出货，而TWINSCAN EXE:5200将会在2024年开始交付。
这意味着三星、台积电的3nm芯片最快在今年后半年出现，大量上市交付则会是在2023年，而2nm芯片将会在2024年上市，基本上符合之前的预期。

外媒：自由出货不远了
ASML已经有了更先进的NA EUV光刻机，最快将会在今年下半开始交付，于是，就有外媒表示自由出货不远了。
一方面是因为ASML已经计划在2025年实现EUV光刻机的全球安装使用率高达60%以上，另一方面三星、SK海力士也需要将大量的EUV光刻机安装到内地工厂。