光刻机|国产光刻机好消息，这相当于确认了！纳米|芯片

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近些年来，光刻机一直牵动着国人的心，现在，我们的国产光刻机又传来了新的消息，而且是好消息。
众所周知，要想制造工艺更先进的芯片，就需要更先进的光刻机，目前光刻机领域的高端机型分为两种，分别是ARFi和EUV 。
ARFi光刻机叫作浸润型深紫外光刻机， EUV光刻机为极紫外光刻机。

这两者的最大不同点，在于光源的波长，前者波长为193纳米，经过超净水的折射，等效为134纳米。而EUV光刻机的光源波长为13.5纳米。

一款光刻机的分辨率数值越小，代表着可以制造的芯片工艺越先进，要保证分辨率数值更小，需要从两个方面努力，分别是增大透镜的数值孔径和减小光源的波长。
所以我们看到，当需要制造7纳米以下工艺的芯片时，就需要EUV光刻机了。

目前我们国产的光刻机还是ARFi型，但是分辨率还没有做到该类型光刻机的最优。
不过ARFi光刻机有一个分水岭，那就是28纳米。
因为ARFi光刻机的最小分辨率数值只能做到38纳米，如果大家感兴趣，可以自行在ASML的官网查询，会发现ASML的ARFi光刻机就是只能做到38纳米，尼康也是如此。

看到这里是不是有点觉得难以理解，这就是说为何28纳米是一个关键点的原因。
因为如果光刻机可以支持28纳米，就意味着已经做到了38纳米分辨率这个极限，也就意味着，透镜这个光学系统做到了最优，也就是1.35的数值孔径。
而透镜光学系统的解决，就意味着解决了ARFi光刻机的最大屏障。

后续的芯片制造工艺，通过采用一些制造方法就可以解决，例如多重图形、双重曝光等技术。
这就是说，跨越28纳米，后面一直进入到7纳米都将长驱直入，下一个要解决的痛点就是EUV光刻机了。
好，该到我们的主角登场了。

相信有的朋友还记得国望光学，就在两个月前，笔者就曾发文，国望光学的超净室工程已经开标，当时国望光学方面就表示，该生产基地将量产过个工艺的光学曝光系统，其中就包括28纳米。
而现在该生产基地又有了新的进展，国望光学已经发出设备招标公告，这就意味着，该生产基地开始进入设备导入阶段。
熟悉半导体领域制造产业的朋友知道，设备导入阶段，就标志着产品量产即将到来。这是一个关键性的节点，所以备受关注。

例如台积电在美国的工厂，因为迟迟无法招聘到符合要求的工人，因此将设备导入延期了半年，这应该是近期发生的最好的证明案例。
因此国望光学此次设备招标，就相当于确认其生产基地将很快投入运行，也相当于确认其基建阶段和超净室阶段已经完成或者进入尾声。

所以对于国望光学的28纳米光学透镜系统，我们已经可以开始期待，一旦产品交付，那么就意味着国产光刻机再次上了一个台阶。

然而28纳米光刻机的意义还不止如此，大家应该也注意到了，近年来，各大芯片厂都在积极扩产和建设新厂，其中28纳米就是扩建的主角。