|“清华帮”组队创业，要打破芯片能效天花板，对话苹芯科技CEO( 三 )

三、创业半年， SRAM存内计算加速器测试成功什么对苹芯是更有意义的？
为了回答这个问题，苹芯团队走访了很多客户，了解对方的痛点、对技术的要求，以及能利用技术实现什么核心价值。
“我们一直对技术抱有敬畏之心，在战略层面沿着先做技术、再做平台、然后做产品的思路，发展过程中几条腿同时走路。 ”杨越相信比起与巨头狭路相逢，初创公司的机会更多是在细分领域中，能够快速迭代，了解新领域的know-how ，快速满足用户的刚需。
令杨越很有成就感的是，苹芯的团队氛围非常融洽。 “我能感觉到大家每天都是非常希望来上班的，工作目标、职业规划都制定得很清晰。 ”
在他眼中，这是一群特别靠谱的工作伙伴。
作为一家初创公司，苹芯必须保持很快的流片节奏。第二款芯片流片测试完成后，大家非常淡定，出去吃了顿简单的庆功宴，便马不停蹄地开始推进下一个研发任务。
2021年9月7日，苹芯科技宣布其基于SRAM架构的存内计算加速器S200已经测试成功。它可以将深度学习算法中占主导的基本运算在存储器内完成，能大幅提升计算效率，并能完成无损精度的运算。苹芯团队称，这款加速器「首次将商用存内计算带入28nm时代」。

▲S200芯片性能参数概览该成果还发表在有“固态电路领域奥林匹克”之称的芯片顶会ISSCC 2022上。其32Kb无ADC架构SRAM存内计算加速单元基于28nm工艺搭建模块，能效比高达27.38TOPS/WINT8 ，同时实现1.041Mb/mm2的高面效比。
而在同等条件下，世界上多数加速器测试结果，通常介于2-3TOPS/W之间。
足足将能效比提升10倍，苹芯是怎么做到的？
四、两大技术优势，三个未来目标苹芯的存内计算加速器S200有两大技术优势：28nm工艺和全数字化设计。
杨越说，选择28nm是综合考虑的决定。先进节点固然能带来更高性能，但也意味着更高的流片和量产成本，这与端侧芯片对成本的苛刻要求相矛盾。 28nm则相对成本更低，同时也能展现出SRAM向高级制程节点兼容性好的优势。
此外，多家晶圆代工厂具备28nm制造能力，在供给产能方面更加稳定和充裕。
S200的另一重优势，是全数字化设计。
以前存内计算芯片主要是模拟芯片，优势是能效高，但会牺牲一定精度。而苹芯研发的无ADC架构SRAM存内计算加速单元，不仅能保障精度，能效性也能做到更加领先。除了整型数据的支持外，杨越提到浮点数据也在苹芯的技术支持范围内，处于持续优化验证的过程中。

▲苹芯科技存算一体AI芯片实物照片软件研发同样是AI芯片公司的战略重心。
据杨越观察，端侧客户相对没那么关心芯片底层设计，他们更在乎端侧芯片的实际表现，包括性能、成本以及好不好用，有三种常见诉求：一是易用性，即上手不费劲；二是可定制性，客户可能有自己的算子，有二次开发需求；三是可扩展性，当硬件计算能力升级，软件不能成为瓶颈。
苹芯也非常重视软硬件协同工作，定义有自己的指令集，并围绕上述诉求展开研发，既支持做定制，又顾及升级至数百TOPS板卡时的支持。杨越透露说，苹芯还在做Turnkey方案的准备。
为了公司能够坚持自有发展战略规划的实施，苹芯在初期客户与合作伙伴的选择上非常慎重，除了发展理念的契合，还会考虑客户业务需求面临的痛点是否主要由传统冯·诺依曼架构的瓶颈导致。现阶段，他们希望能通过更多实践，能够充分展现存内计算技术的优势，让这一先进技术能够真正扎根于实际应用，并拓展更宽广的未来。