我们都知道7nm芯片的性能比10nm强|英特尔的多芯片封装技术是如何做到的？我们都知道7nm芯片的性能比1

我们都知道7nm芯片的性能比10nm强， 4nm芯片又可以秒7nm ，谁都希望推出基于更先进制程技术生产的芯片，但迄今为止具备自研先进工艺芯片的厂商又有几家？
以X86为例，只有英特尔、AMD、兆芯等几个玩家，在ARM架构的手机SoC领域，也不过高通、联发科、三星、海思、展锐等。更多的企业，只具备自研外围电路的设计实力，比如OPPO的马里亚纳MariSiliconXNPU、小米的澎湃C1ISP、澎湃P1智能充电芯片等。

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原因也很简单，成本太高了。
据悉，如今设计一颗10nm芯片成本为1.744亿美元， 7nm芯片约2.978亿美元， 5nm芯片更是飙升到5.422亿美元。

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这个价格应该指的是SoC级别的芯片，但哪怕是外围芯片，工艺越先进所需的成本也会大幅提升也是肯定的。
这意味着，传统单一工艺、单一芯片做法的难度和成本已经超过了绝大多数企业的承受能力。
实际上，像英特尔和AMD这类巨头很早就意识到了这个问题，所以才会推出不同工艺的多芯片封装技术，比如英特尔移动酷睿处理器基板上， CPU（包括核显）部分是最先进工艺， PCH芯片则是落后一些的工艺，这在行业内又称为MCM（MCM-MultichipModule ，多芯片模块）2D封装技术。

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英特尔旗下的EMIB和台积电CoWoS则属于2.5D封装技术，通过它可以将7nm工艺的CPU、10nm的GPU、14nm的I/O单元、22nm的通讯单元等堆在一个基板上。

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现在最先进的封装技术当属英特尔的Foveros3D封装技术。英特尔曾在第10代酷睿时期推出过代号为“Lakefield”的混合酷睿平台——酷睿i3-L13G4和i5-L16G7这两颗处理器就首发英特尔Foveros3D封装技术和混合CPU架构（IntelHybridTechnology），采用了类似ARMbig.LITTLE大小核技术，内置1+4大小核组成的5核心。

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将于2023年问世的第14代酷睿MeteorLake平台，不仅会采用混合CPU架构技术，还会引入英特尔第二代Foveros3D封装技术。它会在同一个基板上封装三个模块，分别是高性能计算模块、SoC-LP模块（负责I/O）和GPU模块，视CPU和GPU核心规模和主频，其TDP可在5W~125W之间浮动。

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将多芯片混合封装玩到极致的，还要数英特尔此前发布的PonteVecchio计算加速卡，它使用了5种不同的制造工艺，内部封装多达47个芯片/单元(Tile) ，晶体管数量突破1000亿个！

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问题来了，类似技术AMD也有，台积电和三星等代工企业也有，只是大家都是各自为战，不同工艺、功能和封装的芯片之间没有统一的通讯接口，造成了严重的资源浪费。
为此， ASE、AMD、ARM、Google云、Intel、Meta(Facebook)、微软、高通、三星、台积电十大行业巨头在3月2日联合宣布，将组成行业联盟，共同打造小芯片互连标准、推进开放生态，并制定了标准规范“UCIe”（UniversalChipletInterconnectExpress ，通用小芯片互连通道），旨在芯片封装层面确立互联互通的统一标准。

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