不过 , 据泛林集团CEO Tim Archer表示 , 他了解到的新规定是针对晶圆代工厂 , 但并不影响储存芯片制造商 。
但是 , 随后据路透社报道 , 据四位知情人士透露 , 美国正考虑限制向中国大陆存储芯片制造商出口可以用于128层3D NAND闪存芯片制造的美国设备 。
商务部此前告诉Protocol , 其工业和安全局(BIS)正在更新其对中国大陆的态度 , 并寻找“最大限度地提高我们出口管制的有效性”的方法 。 这包括当前和未来的工作 , 以收紧与中国大陆先进半导体生产相关的现有政策 , 利用 BIS 工具箱中的各种法律、监管和适当的执法工具 , 并发展和加强我们与盟国和合作伙伴的合作 。 ”
由于美国方面的限制 , 目前中国大陆已经难以制造14nm及以下先进制程的芯片 。 但是中国大陆的芯片设计厂商依然可以利用EDA工具来设计7nm、6nm甚至是3nm的芯片 , 然后交由三星、台积电、英特尔等晶圆代工厂商进行制造 。
比如 , 今年6月底三星宣布量产3nm GAA工艺 , 7月25日 , 三星代工的首批3nm芯片已完成生产 , 并在韩国华城园区厂举行了出货仪式 。 而根据此前信息 , 中国大陆矿机芯片厂商——上海磐矽半导体技术有限公司则是三星3nm GAA工艺的首批客户 。 也就是说中国大陆芯片厂商设计的3nm芯片已经领先全球量产了 , 虽然这只是一颗矿机简单的芯片 。 或许正因为如此 , 才进一步刺激到了美国敏感的神经 。
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总结来看 , 美国在成功对中国大陆芯片制造商的14nm及以下制程芯片制造能力进行封堵之后 , 这项针对可用于GAA技术的EDA工具的禁令 , 将进一步封堵了中国大陆芯片制造厂商向3nm及以下先进制程推进的道路 。
编辑:芯智讯-浪客剑
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