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日前三星已官宣 ， 3nm制程工艺正式量产 ， 且首次用上了全环绕栅极晶体管技术（简称“GAA”） 。 三星宣称 ， 与5nm工艺相比 ， 第一代3nm性能提升23% ， 功耗下降45% ， 同样晶体管密度的前提下 ， 面积减少16% 。 第二代3nm工艺性能提升30% ， 功耗下降50% ， 且同样晶体管密度 的前提下 ， 面积减少35% 。

图源：pixabay

对于全球首个量产的3nm工艺 ， 韩国媒体一致表示看好 ， 中国台湾方面专家却持不同态度 。 台湾工研院产科国际研究所总监杨瑞临表示 ， GAA工艺根本没有成熟 ， 相关的测量、蚀刻、材料、化学品等方面 ， 都存在问题 ， 三星完全是赶鸭子上架 。
考虑到台湾晶元代工厂台积电与三星是竞争关系 ， 台湾专家的言论未必没有主观情绪在 。 那么三星3nm工艺究竟如何 ， 表现会比5nm工艺强多少呢？
制程工艺之争 ， 已到白热化阶段最初制程工艺的竞争主要在手机领域 ， 2016年台积电与三星10nm工艺正式投产 ， 距今不过6年时间 ， 3nm工艺竟然进入了量产阶段 ， 平均每年制程工艺都要升级1nm左右 。
很快 ， 制程工艺从手机领域卷到了PC领域 ， 苹果M系列自研处理器直接用上了当时台积电最先进的5nm工艺 。 AMD虽然有些落后 ， 但锐龙CPU也用上了台积电6nm工艺 ， 这样一来Intel就难受了 ， 仍守着14nm工艺 ， 10nm工艺刚刚投产 。 于是 ， Intel指责台积电、三星玩文字游戏 ， 并把自家的10nm工艺强行命名为“Intel 7” 。
诚然 ， 从晶体管密度方面来看 ， Intel 10nm制程工艺与台积电、三星的7nm工艺差不多 。 只是Intel的行为可以明显看出晶圆代工方面竞争过于激烈 ， 导致厂商都出现了焦虑感 。 三星与台积电是全球最大的两家晶圆代工厂 ， 明争暗斗自然更加激烈 。
制程工艺越来越小 ， 想要进步就越难越难 。 我们原本期望今年秋季台积电3nm工艺可以投产 ， 由苹果A16仿生处理器首发 ， 结果却让我们很失望 ， A16用的是台积电4nm ， 台积电的3nm制程工艺 ， 明年才能正式投产 。
更令人失望的地方在于 ， 台积电第一代3nm工艺用的仍是鳍式场效应晶体管技术（简称“FinFET”） 。 按照这个速度 ， 台积电第二代3nm工艺大概会在2024年投产 ， 2nm工艺2025年投产 ， 就算进展顺利 ， 1nm工艺可能要在2026年或2027年才能投产了 。

图源：台积电
可三星不会给台积电反击的时间 ， 采用GAA晶体管技术的3nm工艺已投产 ， 如果进展顺利 ， 1nm工艺会在2025年或2026年投产 。 目前 ， 三星是唯一3nm工艺投产的晶圆代工厂 ， 也是唯一使用GAA晶体管技术的厂商 。 可芯片工艺如何 ， 不能只看一个数字 ， Intel的10nm工艺晶体管密度可达1.088亿个/平方毫米 ， 是三星10nm工艺的两倍 ， 持平三星7nm工艺 。
一年投入22万亿韩元（约合人民币1444亿元）的三星 ， 费时费力研发出的3nm工艺 ， 表现究竟会怎样呢？
这一次 ， 三星会让我们失望吗？杨瑞临不看好三星 ， 一方面是因为认为三星操之过急 ， 另一方面则是因为三星5nm、4nm工艺表现不算太好 。 近两年的高通旗舰芯骁龙888和骁龙8 Gen 1用的就是三星工艺 ， 但表现并不算出色 ， 甚至让骁龙865/骁龙870被封为一代神U 。
今年5月 ， 高通发布了骁龙8+ Gen 1 ， 改用台积电4nm制程工艺 。 从极客湾发布的工程机评测来看 ， 功耗和发热表现非常出色 ， 能耗比仅次于苹果A系列仿生处理器 ， Android处理器中唯有天玑8100能够与之抗衡 。 这还是在工程机上 ， 如果经过厂商的优化 ， 再加上旗舰级散热 ， 表现可能会更出色 。

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