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之前我们就说过 , 预计三星很快就会公布量产3nm芯片 。 而在近日 , 三星也的确如大家所料一般 , 正式宣布采用GAA技术的3nm工艺开始量产 。 可以看出来在客户频频流失至台积电 , 同时三星4nm之前又爆出良率低下的新闻后 , 三星的确想在芯片代工这部分扳回一城 , 比台积电提早很久就宣布3nm量产 , 也可以看出三星现在焦急的心态 。
很显然三星积极争抢芯片代工市场 , 纯粹是为了弯道超车台积电 , 所以才决定在3nm工艺上抢先采用环绕闸极(GAA)架构 , 并赶在台积电3nm下半年量产前 , 于上半年的最后一天宣布3nm GAA技术量产 。 虽然三星现在并没有什么先进工艺的大客户 , 但是此举也是希望能在大家心中留下一个好印象 , 以争取到未来的订单 。
韩国本地的行业的态度倒是对三星芯片代工业务感到乐观 。 韩国方面表示三星3nm制程进展还是对业界有很正面的影响 , 而且一些业内人士已经开始给三星背书 , 表示三星3nm制程良率提升速度远高于市场预期 , 新增客户速度相当快 。 据说中国挖矿机芯片设计业者上海磐矽半导体是三星3nm制程的客户 , 此外高通也已预定三星3nm的产能 , 不过高通显然是想两边下注 , 订单要看情况来定 , 如果三星3nm表现不好的话 , 会立马转投台积电 。
但也有不少业内人士有不同看法 , 一些专家认为ASML为的高数值孔径极紫外光(high-NA EUV)光刻机 , 预计是在2023年完成并用于研发 , 所以推测三星3nm GAA技术量产并非采用最先进的光刻机 。 而Intel和台积电都表示在2023年会采用ASML最高端的光刻机 , 而现在三星就量产了3nm GAA工艺 , 那么只可能是EUV光刻机了 。
另外GAA技术相关的蚀刻及量测问题尚待克服 , 材料、化学品等也需要提升 , 所以很多专家都认为全球GAA生态系统还未完全到位 , 三星3nm GAA技术此时量产是赶鸭子上架 。 尽管三星采用现有光刻机和技术 , 也可以做到3nm GAA工艺的量产 , 但关键是成本会增加、交期会拉长、良率提升速度慢、品质不见得好 。 在成本模型难以建立的情况下 , 三星难以对客户报价 , 所以很多人都预测三星的3nm GAA技术目前只有三星自己使用 , 不会有其他大客户 。
一些业内人士也表示三星没有接到任何3nm芯片的订单 , 所以即使是宣布量产3nm制程 , 宣传意义大于实质意义 。 不过三星向来惯用低价策略吸引客户 , 报价便宜或许可能争取到国内矿机公司上海磐矽半导体订单 , 不过散热问题是三星的痛点 , 高通订单就因此回流台积电;三星3nm GAA制程能否解决漏电、散热问题则有待观察 。
当然现在行业内都更认同台积电在先进制程发展的模式 , 台积电3nm今年下半年量产 , 搭配新的FINFLEX架构 , 提供芯片设计多样化选择 , 包括支持超高效能、最佳功耗效率与电晶体密度及平衡两者的高效效能 。 而台积电将于2024年取得high-NA EUV光刻机 , 推动创新的需求 。 至于台积电的GAA技术 , 则要等到2nm工艺的时候才会引入 , 时间大概是在2025年 , 届时GAA的生态系统也该趋于完善 , 远远要比现在三星抢着上马更科学 。
【三星|三星急了!正式宣布3nm GAA工艺量产,专家表示赶鸭子上架】另外相比三星3nm工艺无人问津 , 台积电3nm工艺已掌握苹果、英特尔及其他重量级客户订单 , 显然客户对台积电的3nm工艺良率、产能都更有信心 。 所以三星想要追上台积电 , 远远不是官宣3nm GAA量产就能搞定的 。
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