本文转自：中国电子报此文为中国电子报原创稿件|欧阳钟灿院士：更多MLED技术难题可在芯片设计阶段解决( 二 ) 本文转自：中国电子报此文为

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MLED未来可能向NanoLED发展虽然MLED直显技术优势突出，现阶段还有许多技术瓶颈有待突破。欧阳钟灿介绍称，如外延生长均匀性不好、LED芯片效率低、巨量转移良率低且用时长等，其中巨量转移技术是关键一环。所谓“巨量转移”就是在完成微米级LED晶粒制作后，把数百万甚至数千万颗超微LED晶粒正确且有效率地移动到电路基板上的过程。以4K电视为例， 4K通常指4096x2160分辨率，假设每像素点为三个R/G/B晶粒，制作一台4K电视需要转移的晶粒高达2600万颗，即使每次转移1万颗，也需要重复2400次。目前巨量转移技术包括弹性印章微转移技术、激光转移技术，以及流体转移工艺等，但各技术还不够成熟，良率和转移效率无法达到MLED量产的水平，这也进一步推高制造成本，导致目前的MLED产品售价高昂。尤其是弹性印章微转移技术，要通过大量反复的印章动作，将红绿蓝三色印上去，效率很低。对此，欧阳钟灿指出，未来， MLED直显或许可以考虑在集成电路中直接将红光、蓝光、绿光按照设计制造出来。 “MLED直显应该走芯片的方式，芯片业者在未来的设计中应该考虑到MLED直显。 ”此外， MLED在材料、设备、芯片、驱动IC、背板设计和封装等各环节均面临新的技术难题。 “为了丰富显示应用场景，同时实现更细腻的视觉效果， LED显示中的芯片及封装尺寸呈现微缩化趋势， MLED显示技术未来可能向NanoLED(QNED)显示技术发展。 ”欧阳钟灿强调。值得一提的是，以封装工艺为要点，在原有的SMD和COB封装技术的基础上，国内企业创新发展出COGMLED封装工艺。 COGMLED背光技术具有恒流驱动、亮度高、对比度高、不闪烁和拼接平整度高的优点，有望成为LCD未来的主流方向。中科院院士欧阳钟灿：基于泛显示的革新性显示技术将应运而生
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作者丨谷月编辑丨徐恒美编丨马利亚监制丨连晓东

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