豪威集团发布业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET

IT之家6月28日消息 , MOSFET是一种在电池包装中的安全保护开关 , 近日 , 豪威集团全新推出两款MOSFET:业内最低内阻双N沟道MOSFETWNMD2196A和SGT80VN沟道MOSFETWNM6008 。
豪威集团发布业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET
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据官方介绍 , 双N沟道增强型MOSFET , WNMD2196A具有业内同类产品最低内阻 , RSS(ON)低至1m? , 专为手机锂电池电路保护设计 。 WNMD2196A采用先进的沟槽技术设计 , 提供卓越的RSS(ON)的同时实现低栅极电荷 。 载流子迁移速度快 , 阙值电压低 , 开关速率高 , 可实现更高的效率和更低的温升 。
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豪威集团发布业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET】IT之家了解到 , WNM6008——80V高功率MOSFET , 采用最新一代ShieldGate技术 , 针对电信和服务器电源中使用的更高开关频率进行了优化 , 具备超低FOM值(开关应用重要优值系数) 。 WNM6008适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路 。 可有效赋能太阳能、电源和电池供电(例如电动代步车)等应用 。
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