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尽管我们在芯片上主要依赖进口 , 但幸好还有中芯国际、华虹半导体等晶圆制造厂 , 能够生产市场上的主流芯片 。 尤其是中芯做到了全球第五 , 产能还在不断扩大 。
中芯国际目前是大陆技术最先进的晶圆厂 , 14nm工艺的良率已追平台积电 , 还在推进N+1、N+2等工艺 。 近日老牌芯片巨头英特尔宣布消息 , 中芯国际希望更大了 。
芯片巨头正式宣布
近年来 , 我们可以看到 , 台积电、三星的芯片工艺进步很快 , 都已进入到10nm以下 , 实现了7nm、5nm工艺的量产 , 3nm也将于近期开始量产 , 2nm也提上了日程 。
由此 , 不少人认为 , 中芯国际在先进制程上的差距越来越大了 , 事实并非如此 。
台积电在芯片制造技术上一向领先 , 一直在按照摩尔定律每两年更新一个世代的步伐前进 。 正如梁孟松说的芯片制造需一步一个脚印 , 没有弯道超车和跳跃式前进 。
然而 , 大家有没有发现 , 三星近年来芯片工艺进步很快 , 几乎追上了台积电的节奏 , 甚至在3nm制程上采用了新的GAA工艺 , 并且宣布的量产时间还早于台积电 。
还有英特尔这个老牌芯片巨头 , 给大家印象最深刻的就是“挤牙膏” , 重点是一直没有突破7nm工艺 。 但最近却突然发生改变 , 一下宣布了一系列的先进制程步骤 。
一直在制程上落后的英特尔 , 还将研发18A即1.8nm工艺 , 要跟台积电一较高下 。
目前制程真实现状
为什么三星、英特尔突然在芯片制造技术上就可以跟台积电竞争了呢?其实 , 这要说到现在的制程并非按真正的栅极宽度来的 。 也就是说 , 5nm并非真的就是5nm 。
严格来说 , 芯片工艺几nm , 应该是从源极到漏极是几nm , 也就是按栅极的宽度 。
但实际上 , 台积电、三星目前所说的5nm、3nm等 , 都是自己的命名 , 他们都将制程数字搞得小了一点 , 但实际并未达到那个程度 , 而英特尔最近揭开了这个现状 。
英特尔也修改了原来的制程命名 , 因为对比台积电、三星 , 相同的芯片工艺 , 英特尔的晶圆管密度显然高了许多 , 因此原来的10nm改为7nm , 密度还能略高一些 。
比如7nm , 台积电每平方毫米为0.97亿个晶体管 , 三星只有0.95亿个 , 而英特尔却高达1.8亿个 。 台积电的5nm工艺也才达到1.73亿个 , 三星才只有1.27亿个 。
因此 , 英特尔将原来的7nm工艺改为了Intel4 , 对应台积电、三星的4nm工艺 。
中芯国际希望更大
由此可以看出 , 相比之下 , 英特尔之前的工艺命名是有些吃亏的 , 现在也学聪明了 , 不再严格按照对应栅极宽度来命名 , 跟台积电、三星一样开始自己进行命名了 。
对于这个情况 , 高通之前就曾表示 , 别太相信晶圆代工厂的工艺 。 其实 , 台积电的一位技术负责人在2019年时也曾提到 , 几nm工艺已经与栅极宽度不太相关了 。
照这样来说的话 , 我们中芯国际跟台积电、三星等技术相差的也没实际那么多了 。
现在 , 中芯国际明面上说是量产了14nm、12nm , 还有N+1工艺也量产了 , 还在推进N+2工艺 。 N+1、N+2其实是中芯内部的代号 , 并没有直接表明是多少nm 。
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