三星计划在2025年开始大规模生产基于GAA的2nm芯片

IT之家6月20日消息 , 据BusinessKorea报道 , 三星电子正计划通过在未来三年内打造3纳米GAA(Gate-all-around)工艺来追赶世界第一大代工公司——台积电 。
三星计划在2025年开始大规模生产基于GAA的2nm芯片
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据悉 , GAA是下一代工艺技术 , 改进了半导体晶体管的结构 , 使栅极可以接触到晶体管的所有四面 , 而不是目前FinFET工艺的三面 , GAA结构可以比FinFET工艺更精确地控制电流 。
根据TrendForce的数据 , 在2021年第四季度 , 台积电占全球代工市场的52.1% , 远远超过三星电子的18.3% 。
三星电子正押注于将GAA技术应用于3纳米工艺 , 以追赶台积电 。 据报道 , 这家韩国半导体巨头在6月初将3纳米GAA工艺的晶圆用于试生产 , 成为全球第一家使用GAA技术的公司 。 三星希望通过技术上的飞跃 , 快速缩小与台积电的差距 。 3纳米工艺将半导体的性能和电池效率分别提高了15%和30% , 同时与5纳米工艺相比 , 芯片面积减少了35% 。
继今年上半年将GAA技术应用于其3纳米工艺后 , 三星计划在2023年将其引入第二代3纳米芯片 , 并在2025年大规模生产基于GAA的2纳米芯片 。 台积电的战略是在今年下半年使用稳定的FinFET工艺进入3纳米半导体市场 , 而三星电子则押注于GAA技术 。
专家称 , 如果三星在基于GAA的3纳米工艺中保证了稳定的产量 , 它就能成为代工市场的游戏规则改变者 。 台积电预计将从2纳米芯片开始引入GAA工艺 , 并在2026年左右发布第一个产品 。 对于三星电子来说 , 未来三年将是一个关键时期 。
最近 , 三星宣布 , 在未来五年内 , 将在半导体等关键行业投资共计450万亿韩元(约2.34万亿元人民币) 。 然而 , 三星在3纳米工艺方面遇到了障碍 。 与三星一样 , 台积电在提高3纳米工艺的产量方面也有困难 。
IT之家了解到 , 台积电原本计划从7月开始用3纳米技术为英特尔和苹果大规模生产半导体 , 但在确保理想的产量方面遇到了困难 。 DigiTimes报道称 , 台积电在确保3纳米工艺的理想产量方面遇到了困难 , 因此多次修改其技术路线图 。
三星计划在2025年开始大规模生产基于GAA的2nm芯片】三星电子也面临着类似的情况 , 3纳米工艺的试生产用晶圆已经投入使用 , 但由于产量低的问题 , 该公司一直在推迟宣布正式的大规模生产 。 现代汽车证券的研究主管RohKeun-chang说:“除非三星电子为其7-nm或更先进的工艺确保足够的客户 , 否则可能会加剧投资者对三星电子未来业绩的焦虑 。 ”