与台积电、三星相比,Intel这几年在半导体工艺上落后跟EUV工艺量产有关,Intel之前认为EUV不成熟,并不急着上马EUV光刻机,结果被台积电三星反超,Intel会在今年下半年的Intel 4工艺上使用EUV光刻机 。
Intel在当前的EUV光刻工艺上吃亏了,但是接下来他们追赶的步伐可要加快了,Intel把赌注押在了新一代High NA EUV光刻机上,NA数值孔径从目前的0.33提升到0.55,该数字越大,EUV光刻机的分辨率越高,适合3nm以内的先进工艺 。
ASML的新一代EUV光刻机型号为EXE:5200,Intel这次会成为首发用户,抢下了第一台0.55 NA的EUV光刻机,而且首批6台中Intel也占了大头,台积电三星会慢一波 。
升级到NA 0.55的EUV光刻机技术难度也更大,光是价格就翻了一两倍,相比目前1.4亿美元一台的价格,新一代EUV光刻机的价格要4亿美元左右,约合人民币26亿元了 。
尽管如此,Intel还是会大力推进0.55 NA的EUV光刻机,高管Mark Phillips最近在一次会议上透露了Intel的路线图,他们正在跟ASML合作,预计在2023年底到2024年初在美国俄勒冈州的工厂安装,2025年正式量产 。
【Intel|单价超26亿元 Intel首发新一代EUV光刻机:2025年量产】
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Intel的芯片工艺路线图中,最先进的还是18A工艺,不过2024年就要量产了,而且这一代使用的还是当前的EUV光刻机,0.55 NA的光刻机会用于再下一代的新工艺 。
这个新工艺目前还没消息,不过按照工艺演进,应该也是1.4nm级别的,估计代号是Intel 14A,对标台积电的1.4nm工艺 。
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