镓未来完成A＋轮近亿融资，布局新一代中大功率技术平台( 二 ) 前言近日

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第三代半导体氮化镓功率器件的应用场景
镓未来同样由快充领域切入，既可以获得市场的互动和及时反馈，也能够获取足够基数的可靠性数据。核心创始人、IEEEFellow吴毅锋博士在氮化镓领域有26年的技术积累，作为成功的连续创业者，历任Cree公司器件科学家、Transphorm公司高级副总裁，曾带领团队开发并量产出全球首批600V以上商用GaN功率器件，将可靠性提升至业内领先。
在吴毅锋博士的带领下，去年镓未来研发并量产了适用于30W-120W电源适配器的氮化镓开关器件产品，主要应用于手机/笔记本快充中，在手订单达数百万颗，客户由电商、ODM厂商、方案设计商向品牌客户拓展。镓未来今年继续推出适用于140W、200W、330W等低功率应用场景的高性能氮化镓功率器件产品及电源整体解决方案。
镓未来的征程是更高功率、更高耐压的星辰大海
低功率产品是镓未来布局的起点，但中大功率（500W以上）其实是其优势和重点所在。
这一布局符合技术进步和市场发展趋势：氮化镓功率器件的应用场景正从已处于红海竞争中的低功率消费电子向中大功率储能、家电、电动工具等消费电子拓展，并逐步向ICT（通讯基站、服务器/区块链）、工控、新能源、光伏、电力等工业场景延伸，经济效益和市场潜力不容小觑；另外，对于提升能源使用效率、实现碳中和碳达峰，氮化镓功率器件还具备极高的社会价值。
吴毅锋博士举例，氮化镓技术可以让单个5G基站或数据中心的单台服务器，年节省用电约200-1,000度。此外，功率转换的体积、重量可以降低20%-50% ，变压器、电容等耗材也相应减少。
镓未来采用级联结构型设计方案，在常开型GaN器件的源端串接一个常关型的低压MOSFET ，实现增强型器件。通过器件集成的优化设计与先进封装，克服了传统级联结构的缺点，实现了高速而稳定的特性。
采用GaN天然的常开特性可以避免制作常关型GaN器件工艺引入的缺陷，加上先进的设计和成熟制作技术，镓未来的产品动态特性优秀，可靠性高。由于其栅极是常规的SiMOSFET ，栅极抗噪声、抗冲击能力强，兼容Si基功率开关电路的栅极驱动。而且可以封装成插件形式，适合大功率应用场景，应用功率范围可覆盖30W-4,000W 。
市场上主流结构还有直驱型、以p-GaN栅极为代表的常关型，技术路线各有优势，也各有自己需要克服的技术难点。不约而同，走这两种技术路线的品牌商也在尝试由低功率向中大功率布局，但1,000W以上仍然是一个很难突破的门槛。
镓未来目前已经实现了800W至3,600W服务器电源和算力电源样机开发和测试，相应的氮化镓产品已陆续量产。据了解，镓未来是国内唯一实现2,000W-4,000W高效电源达到96%钛金能效标准的650V氮化镓功率器件量产制造商。

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镓未来700W图腾柱PFC+LLC电源方案
无桥图腾柱PFC可大幅度降低整流损耗，是氮化镓功率器件在高效电源应用的一大特色，但通常需要成本较高的数字信号处理器(DSP) 。今年4月，镓未来与合作伙伴共同开发，再次率先实现了业界第一款采用控制IC的700W智能混合信号无桥图腾柱PFC+LLC量产电源解决方案，不需要DSP 。其满载效率高达96.72% ，符合80PLUS钛金能效。这一技术将进一步加速氮化镓的应用步伐。
除了在650V领域一直保持创新外，镓未来成立之初就与国家电网相关企业合作开发适用于智能电表电源模块及国家电网工业电源模块的900V级别高可靠性氮化镓开关器件，并计划2022年开始逐步导入产品。当前中国电网中存量的电源模块有几亿台，应用场景市场规模相当可观。而镓未来目前是国内第一家能够量产通过JEDEC可靠性验证标准的900V级别氮化镓功率器件的供货商。