AMD|西部宣布将量产162层闪存:一块晶圆就可提供100TB容量

AMD|西部宣布将量产162层闪存:一块晶圆就可提供100TB容量

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目前的闪存基本上都是3D NAND , 而闪存的层数将会决定闪存的密度 , 从而提升SSD的容量 。 目前主流的闪存容量基本上在96层 , 128层 , 此外有很多厂商也已经开始量产 更高堆叠层数的闪存 , 比如说西数就宣布成功量产162层的闪存 。 这一次西数与铠侠共同发布声明 , 称通过合作成功量产了第六代BiCS NAND闪存 , 最多拥有162层的闪存堆叠层数 。

162层目前并非是业界最高的闪存堆叠层数 , 比如说像英睿达也就是美光已经研发了232层的NAND闪存 。 不过西数表示尽管大家都是162层 , 不过西数的晶圆面积更小 , 因此可以提供更高的存储密度 , 一块晶圆所能提供的容量也更高 。 比如说原来一块晶圆能够提供70TB的容量 , 而 第六代 BiCS NAND闪存可以提供100TB的容量 , 密度提升了42.8% , 从而降低了闪存生产的成本 。

【AMD|西部宣布将量产162层闪存:一块晶圆就可提供100TB容量】随着闪存堆叠层数的提升 , 大容量的SSD制造成本应该会大幅下降 , SSD的价格也有所下滑 , 不过闪存的缓外速度可能会有所影响 。 而西数也表示未来随着技术的进步 , 闪存堆叠层数将会达到200层 , 甚至未来还有可能突破500层 。 届时就不一定是TLC闪存的 , 不知道闪存的寿命以及稳定性届时能不能有所保证 , 毕竟现在QLC闪存的口碑实在是过于糟糕 。