阿斯麦尔|中芯国际好消息，ASML不需要了？( 二 ) 光刻机|中芯国际|纳米

有的朋友知道，在光刻机上，我们下一步是实现28纳米。
可能有的朋友会说， 28纳米都说了很长时间了，怎么还没有实现，这大家就有所不知了。

目前我们国产光刻机制造工艺停留在90纳米，其工艺水平大致相当于ASML的1060K ，而我们下一步要实现的28纳米光刻机，工艺水平与ASML的1970ci相当。
但是ASML从1060K到1970ci ，中间还间隔了两款光刻机，分别是1460K和1470 ，简单来说，就是整整相隔了一整个代际的产品，也就是ARF光刻机。
没错，我们从90纳米推进到28纳米，其实就是跳跃了ARF光刻机，这就需要我们同时解决三个问题：ARF光源、浸没系统、1.35NA镜头。

而ASML由于中间有过渡，所以每一次更新都是小幅提升，而且更新频率也更高。
所以不是我们进步太慢，而是我们选择了跨越式发展，因为情况不一样了。
当年的市场需求，使得ASML可以一点一点升级产品，但是现在，我们就需要跨越式发展。
而且从市场需求来看，浸没式光刻机，也就是ARFI光刻机，也比ARF光刻机的需求大得多。

目前我们在光源和浸没系统上都已经完成，只剩下镜头，也就是光学曝光系统，国望光学作为我们国产光刻机镜头的供应链企业，已经表示明年交付28纳米及以下工艺产品。
这就意味着，我们国产28纳米光刻机将很快出现，也标志着国产DUV光刻机最为艰难的“三座大山”被全部解决。
这将可以直接生产14纳米芯片，而后续光刻机支持7纳米甚至5纳米，其实都可以快速推进。

是得，不是只有EUV光刻机才能生产5纳米芯片， DUV光刻机也可以，而且即便采用EUV光刻机，也需要DUV光刻机配合，并非生产先进工艺芯片，全部是由EUV光刻机来完成。
而之所以在7纳米之后选择了EUV光刻机，是因为EUV光刻机能让芯片代工厂赚更多的钱。
实际上早在10纳米工艺上， ASML就量产了EUV光刻机，但是代工厂没用，因为不划算，直到在第二代7纳米工艺， ASML算是赶了上来。

之前世界第四大芯片代工厂格芯总裁就说过，如果用DUV光刻机生产5纳米芯片，那么将会曝光一百多次。
是的， DUV光刻机也能生产先进工艺芯片，就是步骤多一些，但是如果控制好良率，也没有什么问题。
这或许也是ASML之前在没有任何证据的情况下，就指责东方晶源侵权的原因，因为东方晶源提供的计算光刻、EBI和CD-SEM产品，就是为了提升良率。

因此一旦我们国产28纳米光刻机实现量产，鉴于当下中芯国际的运营情况，实现国产替代ASML是没有问题的。
而且从时间上来看，正好符合中芯国际对14纳米工艺的扩产时间点。
不仅如此，我们注意到， ASML在进入该节点后，基本上每相隔两到三年，会更新其ARFI光刻机。

由于ARFI光刻机三大难题已经攻破，所以后续的升级，与ASML就没有太大区别，因此时间节点上也会比较接近。
而这也正好符合中芯国际后续的工艺发展步骤，因此当我们国产28纳米光刻机量产后， ASML的产品将会迅速被替代。
这里不仅指中芯国际，而是代指所有的中国芯片厂商，都会更愿意选择国产光刻机。

要知道，光刻机是一种特殊设备，不是设备投入生产就结束了，后续还需要生产商提供大量的售后服务。
所以说，即便我们买回来ASML的光刻机，但是后续还需要依赖它提供的售后服务，如果在售后方面停止服务，那么当设备出现问题，也将无法解决，再先进的设备，也就成了摆设。