中科院正式官宣！台积电不想看的情况正在发生 ?随着时间的推移

?随着时间的推移，科技的发展也是日新月异，在科技发展的过程中，其实也出现了一个很有趣的现象。手机方面，从之前的大哥大，发展到如今轻便的智能手机；电脑方面，从原先面积大约有一间半教室，重量相当六头大象，发展到如今可以随身携带，随带随走的小巧笔记本。

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随着科技的发展，基本上很多事物都是朝着小巧化，轻便化的方向发展，芯片自然也是一样，如今，都已经即将就要触顶摩尔定律的迹象了。正常来说，芯片体积不断变小，内部的部件正常也是需要同比缩小的，特别是晶体管，因此， FinFET、GAA应运而生。
在GAA领域，我国中科院近日再次官宣新突破，那么，这将对台积电带来怎样的影响呢？

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中科院突破GAA
2022年3月23日，由我国科技部主办的首届全国颠覆性技术创新大赛落下了帷幕，在这次大赛中，其实也出现了一个亮点，那就是中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心朱慧珑研究员课题组的“垂直自对准环栅晶体管集成制造技术”项目，从全国2724个报名参赛项目中脱颖而出，凭借着领域赛和全国赛两次均全票通过的优异成绩，拿下本次大赛仅仅36个名额的最高奖项—总决赛优胜奖。
这项技术其实早在2019年中下旬的时候，就已经被中科院朱慧珑研究员课题组攻破了，这项技术究竟厉害在哪里呢？众所周知，芯片在体积不断变小的情况下，内部的晶体管也要同比缩小，但是目前，基本上还没有出现同比缩小的情况，因此，我们可以看到，台积电如今的7纳米，在性能上似乎等效于英特尔的十纳米，这其实就是因为没有同比缩小的缘故。

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中科院如今突破的这个GAA技术，可以在沟道尺寸、栅极、栅极位置、掺杂分布等关键器件方面全面做到纳米级精准控制，据说主要器件的电学性能已经超过了目前的同类，直接达到了全球领先水准。
中科院如今突破GAA ，这恐怕是台积电所不愿意看到的情况，那么，这样一来，将会给台积电带来怎样的影响呢？

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台积电不想看到的情况发生了
GAA工艺和FinFET工艺相比，区别在于，这项技术改变了晶体管的结构，栅极和漏极不再是FinFET工艺中鱼鳍片的样子，而是变成了就像一根根垂直的小棍子一样，直接垂直穿过栅极，从而实现栅极对源极、漏极的四面包裹。
这样一来， GAA工艺本身的接触面积将会更大，对电流的控制能力将会更强，因此，在理论上来看， GAA工艺确实会优于FinFET工艺。而中科院也不是三星，科研成果基本上良品率是可以保证的。

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台积电目前在晶体管技术工艺上，使用的依然是FinFET工艺，如今，中科院入局GAA ，入局这个理论上实力更强的技术，一旦将技术授权给其他相关半导体企业，将会大大增加台积电的竞争压力。
【中科院正式官宣！台积电不想看的情况正在发生】另外，今年5月10日，台积电在当天通知自己的客户，从明年开始，将会全面上调晶圆代工报价，上调幅度可能会在6%左右。如今，中科院突破这个更加强劲的GAA工艺，未来走向市场的话，那些个客户也就可以不用再抱着台积电这棵大树不放。未必不会使台积电流失自己的部分消费市场。