|华为正式官宣!外媒:确实大意了!
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【|华为正式官宣!外媒:确实大意了!】
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半导体行业是高度资本密集、技术密集型产业 , 想要在半导体领域脱颖而出 , 需要具有良好的原始资源积累 , 只有这样 , 才有希望快速地在产业中形成规模效应 。
但中国在这一领域明显存在不足 , 多年的技术落后 , 导致整个产业链明显落后于欧美 , 正因为这样 , 华为才会在美方调整芯片规则之后停下海思芯片的生产计划 。
毕竟台积电无法自由出货后 , 相当于掐断了华为海思芯片的生产渠道 , 不过华为从来没有放弃自研芯片的计划 , 尽管海思芯片已经停止生产了 , 但整个研发团队还保留着 。
华为轮值CEO徐直军曾表示 , 华为对海思没有盈利诉求;任正非也表示 , 没有海思华为将寸步难行 。 从华为核心管理层的态度不难看出 , 华为绝不会放弃海思团队 。
好在功夫不负有心人 , 华为似乎已经找到了绕开EUV光刻机生产高性能芯片的方案 , 从前不久华为发布的2021年报中 , 就可以了解到华为的下一步动向 。
华为轮值董事长郭平在谈及芯片问题时表示 , 华为未来可能会采用多核结构 , 用堆叠、面积来换取芯片的性能 。
而现在 , 这种多核堆叠结构已经被公布了 , 华为公开了“一种芯片堆叠封装及终端设备”专利 , 该专利于2019年9月提出申请 , 能够在保证供电需求的同时 , 解决因采用硅通孔技术而导致的成本高的问题 。
硅通孔技术作为一种高密度封装技术 , 可以让晶体管集成度更高 , 带来更强的性能表现 , 但较高难度的工艺 , 弊端是需要采用极紫外光EUV光刻机 。
而EUV光刻机的价格是相当昂贵的 , 生产效率也很低 , 直接导致芯片制造的成本过高 , 再加上只有ASML可以提供EUV光刻机 , 所以华为才考虑其它方案 , 以规避EUV光刻机被卡脖子的问题 。
华为这次对外公布的“一种芯片堆叠封装及终端设备”专利 , 就能够有效地绕开EUV光刻机的问题 , 这是一种采用面积换性能、用堆叠换性能的方案 , 可以实现低工艺制程追赶先进工艺的可能 。
其实在华为之前 , 苹果推出的M1 Ultra就是将两块M1Max拼接在一起 , 通过“多核”结构形成一颗芯片 , 性能也成倍提升 , 在如此短的时间内 , 就做出了比英特尔和AMD更优秀的芯片 。
还有光刻机大厂佳能公司也传来了新消息 , 据悉该公司正在开发一种3D光刻机 , 明显是为了抢占先机 , 因为EUV光刻机的弊端和客户的需求 , 已经非常明显了 。
由此可以看出 , 华为的这套方案是完全可行的 , 也是可以期待的未来发展方向 。 就在华为公布该发明专利之后 , 外媒也纷纷表示:ASML大意了 。
因为业界已经意识到了一个问题 , 就是ASML所生产的EUV光刻机 , 未来将不再是提升芯片性能的唯一途径 , 通过用面积换性能、用堆叠换性能的方案 , 也可以做出性能很强的芯片 。
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