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在半导体行业 ， 由于我国起步相对比较晚 ， 所以在很多领域都受到了一些限制 ， 这些领域包括核心原材料、先进光刻机和EDA工具等 ， 不过在某些领域 ， 我们通过数年努力已经取得了巨大突破 。

我们平时使用的手机、电脑等设备 ， 核心元件就包括闪存 ， 但过去整个市场几乎全部被三星、镁光、铠侠、西部数据等外企所垄断 ， 他们也掌握了闪存市场的议价权 。

很显然 ， 这对于中国科技公司来说绝不是什么好事 ， 因为过度垄断的市场就注定会任人宰割 ， 所以他们经常会宣布涨价 ， 会直接对下游厂商造成影响 。
不过在国家层面的召唤下 ， 这几年我国在闪存芯片这块 ， 已经取得了巨大突破 ， 2016年成立的长江存储通过几年努力 ， 让原本落后的国产闪存实现了跨越 。
据了解 ， 长江存储在成立后的次年就完成了32层NAND闪存的小批量生产 ， 随后又在2019年顺利攻克了64层NAND闪存的批量生产 ， 打破了闪存芯片被外企垄断的困境 。

更为关键的是 ， 长江存储自创的X-tacking架构 ， 可以在开发产品时将时间缩短90天 ， 产品生产周期可以缩短20% ， 单位面积存储密度则可以达到竞品的96层3D NAND ， 速度为3.0Gbps 。
正因为这样 ， 长江存储这两年已经成功地在闪存芯片领域赶上了行业龙头 ， 国内企业也不必担心国外企业的垄断行为了 。
值得一提的是 ， 长江存储在技术路线上直接跳过了96层 ， 将从32层直升到128层 ， 而且128层3D NAND已经实现了大规模量产 ， 据传该公司产品已通过苹果公司的验证 ， 预计最早将于今年5月出货 。

4月19日 ， 长江存储正式宣布推出UFS 3.1通用闪存——UC023 ， 这是长江存储打造的一款旗舰级高速闪存芯片 ， 该产品将广泛适用于高端旗舰智能手机、平板电脑、AR/VR等智能终端领域
按照官方介绍 ， UC023采用全新升级的Xtacking 2.0架构的TLC 3D闪存颗粒 ， 产品在设计和工艺上均得到了进一步改善和优化 ， 作为旗舰级UFS 3.1闪存 ， 它还具备众多特点 。
首先是搭载主机碎片化整理技术 ， 优化数据处理操作能够节省更多的存储空间 ， 并引入随机写性能优化机制 ， 可以将写入速度提升至230K IOPS ， 令多个应用实现自由切换 。

其次是在发挥极致读写性能的同时 ， 还能够保证超低功耗运行 ， 即便是在线观看8K超清视频也不会出现卡顿 ， 可以让设备待机时间明显增长 。
最后是可提供定制化产品开发服务 ， 并向客户提供及时、专业、高效的技术支持 ， 推出128/256/512GB三款存储容量 ， 可满足主流市场需求 。
从长江存储推出的UFS 3.1闪存来看 ， 这无疑是进一步打破了国外企业在高端闪存市场上的垄断地位 ， 届时旗舰智能手机、平板设备也能够用上国产UFS 3.1闪存 。

据了解 ， 长江存储的UFS 3.1闪存连续读取速度可达2000MB/s ， 写入速度看容量 ， 从950MB/s到1250MB/s都有 。
要知道三星的512GB UFS 3.1闪存 ， 读取速度为2100MB/s ， 写入速度1200MB/s ， 这意味着长江存储的产品在写入速度上还要略胜一筹 。
【闪存|打破国外“垄断”！国产UFS 3.1闪存诞生，可应用在高端手机中！】