光刻机|宣布自研光刻机后，俄罗斯再传新消息，外媒：彻底打破芯片|半导体|asml|it芯片

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由于众所周知的原因，从三月开始就有众多美企停止了在俄地区的业务运营，而受到“瓦纳森协定”的影响，有一些企业即使不是美企但又由于使用了一部分美方的技术而被限制出货自由，就比如全球规模最大的光刻设备制造商——ASML 。

虽然ASML是全球的光刻机设备龙头，而EUV光刻机更是只有它能制造。但事实上， EUV光刻机的制造技术和零部件供应涉及全球四十多个国家，供应链超过5000多家企业。
EUV光刻机的制造有一部分也是用到了美方的技术，连ASML自己都只掌握着不到20%的技术，所以ASML的光刻机也就无法实现自由出货。
也是由于这个原因， ASML无法向我们的邻居俄地区出货。俄地区的半导体行业实在不发达， 95%以上的芯片纯靠进口， ASML一断供，当地的芯片市场可谓是一片惨淡。连当地最大的芯片制造商 Mikron都已经入不敷出，另一家芯片制造商 Angstrem-T 甚至已经破产过一次。
俄罗斯自研X射线光刻机为了挽救当地的芯片市场，俄地区决定自研光刻机。

该项目由MIET（俄罗斯莫斯科电子技术学院承接），初期的研发投入为投入6.7亿卢布（约合人民币5100万元）。
但不同于ASML的EUV光刻原理，俄罗斯研发的是基于等离子体源，以及同步加速器原理制作的无掩模X射线光刻机。
由于不需要掩膜就能直接刻写，生产成本就比EUV光刻机要低，此外X射线的波长只在0.01nm 至 10nm 之间，比起EUV的 13.5nm波长要短上不少。从光刻机的发展历程来看，波长越短精度便越高，因此X射线光刻机的分辨率是要比EUV光刻机要高的。

但缺点就是速度太慢， X射线的穿透性太强只能用于直写光刻，需要使用强激光束将电路一点点进行刻画，这要刻写出纳米级集成电路得要猴年马月。
但俄地区的半导体领域不发达不代表人家技术差，俄地区的无掩膜光刻技术早在2010年甚至一度与ASML齐平，在X射线和等离子这方面的技术上有着深厚的基础，相信要解决效率慢的问题并不难。
从这我们也可以看出俄地区正在进行半导体领域的国产化。
耗资3.19万亿卢布，实现28nm全面国产化根据 tomshardware 报道，在自研光刻机之后，俄地区又宣布了新的半导体计划。新的芯片计划涉及未来八年的巨额投资。
【光刻机|宣布自研光刻机后，俄罗斯再传新消息，外媒：彻底打破】
为了重振当地陷入困境的半导体制造，当地政府制定了新的微电子发展计划初步版本，预计投资约 3.19 万亿卢布（约 384.3 亿美元）用于支持国产半导体领域的发展。
包括但不限于芯片架构的自主研发、数据中心基础设施的开发、对当地人才的培养和聚集、芯片的自主制造和生产、以及后续一系列的解决方案的营销。
此外，在半导体制造上，还预期投入 4200 亿卢布（约 52 亿美元左右）用于半导体制造技术的提升，以及更高端制造技术的研发。力求在 2022 年底前实现 90nm 制造技术的国产芯片产量，2030 年实现 28nm 节点的国产化制造。