芯片|外媒：华为选择“绕道”ASML光刻机，麒麟芯片有望提前归来华为|光刻机|asml|it芯片

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2022年第一季度已近过去， iPhone13系列依旧香得很，搭载骁龙8、天玑9000等旗舰芯片的手机也是越来越多。由于缺少制造手机最为核心的元器件-芯片，华为的手机业务依旧是困难重重， Mate50系列迟迟没有发布，据说可能也还是4G手机。

华为自2019年5月进入实体清单以来，智能手机的市场份额就不断下滑，作为拥有5G技术最多的企业，如今连5G手机都成了一种奢望。然而至暗时刻终会过去，近期的种种消息表明，华为最为核心的麒麟芯片，有望提前结束“绝唱”状态。
无需EUV光刻机，也能造芯？
众所周知，要想生产7nm以下的旗舰芯片，就必须得使用荷兰的ASML的EUV光刻机。但受实体清单限制， ASML也无法自由出货，只供给台积电、三星和英特尔三家企业，让华为的5nm芯片—麒麟9000成为了“绝唱”系列。
另外， EUV光刻机制造难度极大，高度达5米、重量近180吨、零部件有10万左右，一年也就只能生产十几台。所以EUV光刻机的单价非常高，一台超过1亿美元，造成了芯片越来越贵的情况。
全球半导体企业一直在探索无需EUV光刻机的造芯方案，目前已有自组装（DSA）技术、等离子激光技术和纳米压印光刻（NIL）技术，其中NIL技术被视为是最佳替代方案，可用于生产32nm以下工艺芯片。

NIL技术（纳米压印微影技术）是在一个特殊的“印章”上，先刻上纳米电路图案，然后再将电路图案“压印”在晶圆上，就像盖章一样。
铠侠从2017年开始与佳能等半导体企业合作，研发NIL的量产技术。已成功掌握15nm量产技术，目前正在进行15nm以下技术研发，预计2025年达成，精度可达5nm 。
由于NIL没有镜头，比EUV要经济得多。根据佳能等厂商发布的消息， NIL的耗电量可压低至EUV生产方式的10% ，并让设备投资降低至40% 。
华为申请芯片堆叠专利
【芯片|外媒：华为选择“绕道”ASML光刻机，麒麟芯片有望提前归来】前段时间，苹果推出了M1 Ultra芯片，将两颗M1 Max的芯片封装到了一起，顺利实现了性能的翻倍。英特尔、AMD等厂商也都在研发这种芯片堆叠封装工艺， AMD的3D封装工艺，也实现了15%以上的性能提升。
芯片堆叠是将原来单独封装的芯片重新设计，用3D封装工艺将其封装在一起，用多颗芯片叠加到一起的方式，实现芯片性能的提升。 M1 Ultra已经做到了这一点，对于华为来说，这也是一个很好的选择。
在国家知识产权局的官网上，华为的一份专利申请，就是关于芯片的堆叠封装技术。在此前的华为2021年度报告发布会上，华为轮值董事长郭平也表示：用面积换性能、用堆叠换性能，使得不那么先进的工艺，也能持续让华为在未来的产品里面具有竞争力。

NIL工艺5nm芯片，量产要等到2025年，若华为采用类似M1 Max的叠堆封装，就可以让高端麒麟芯片提前归来。
华为全面布局芯片产业链