功率半导体器件|研发超强半导体他们十年磨一剑

广州日报全媒体采访人员龙锟通讯员李建平
近日，以“科技自立自强双创驱动发展”为主题的2022“科创中国”年度会议召开。会上，中国科协发布了2021年“科创中国”系列榜单。其中， “先导技术榜”面向生物医药、资源环境、电子信息、装备制造、先进材料、现代农林等六大领域，遴选出了100项具有广阔应用场景、高经济和社会效益的先导技术。
中山大学电子与信息工程学院（微电子学院）教授王钢领导的研发团队十多年自主研发的“大尺寸氧化镓单晶薄膜异质外延生长技术及核心装备”既是广东省高校唯一入选的项目，也是广州地区唯一入选的项目。王钢团队的这项技术将在中国乃至全球新兴超宽禁带功率半导体材料领域形成产业化突破口，极大地推动中国氧化镓基功率电子器件的发展和产业化进程。
本次研究成果登上国家级榜单，背后是王钢团队十余年磨一剑的坚韧。 “每次推开一道门，都需要经过不断地探索，反复地试错，才能找到下一道门。 ”王钢对采访人员感叹道。
实现并跑领跑他们决定破题“氧化镓”
2004年，在日本一家公司担任研发工程师的王钢加入中山大学光电材料与技术国家重点实验室，并组建了自己的团队。在中山大学大学城校区光电材料与技术国家重点实验室的大楼里，王钢团队用18年时间将宽禁带半导体材料和器件实验室建设成型，宽禁带半导体材料和器件也成为这家国家重点实验室的重要研究方向之一。
回国后的前8年，王钢团队主要聚焦支撑LED产业的氮化物半导体材料。 “在氮化物领域，我们感觉长期处在跟跑状态，所以一直在思考有哪些新的材料可实现并跑甚至领跑。 ”王钢说道，最终他们把目光锁定在超宽禁带半导体材料上。
氮化镓和碳化硅是第三代半导体晶圆材料的主流选择，其禁带宽度大概在3.4eV（电子伏特）左右，属于宽禁带半导体材料。氧化镓则是超宽禁带半导体材料，因为其禁带宽度大概在5eV 。
特殊的属性让氧化镓有着“击穿电场强度更强”“功率损耗更低”等优势。氧化镓可让人们使用更少的材料制造出具有更高耐压、更强功率处理能力的功率半导体器件，器件同时可以更薄、更轻。
功率半导体器件是逆变装置里的核心器件，交流电和直流电的转换便是逆变。随着高铁、电动汽车以及高压电网输电系统的快速发展，全世界急切地需要具有更高转换效率的高压大功率半导体器件。氧化镓功率半导体器件在与氮化镓和碳化硅相同的耐压情况下，导通电阻更低、功耗更小、更耐高温、能够极大地节约高压器件工作时的电能损失。
“仅从节能的角度来理解超宽禁带半导体材料不够全面，氧化镓功率半导体器件允许在更高的温度下操作，从而减少对庞大的冷却器件系统的需求。氧化镓在消费电子、5G通信、智能电网、轨道交通、雷达探测等领域有广阔的应用前景，氧化镓基器件被称为‘迄今为止最坚固耐用的晶体管’” 。王钢告诉采访人员，随着科技发展，社会的数字化、智能化程度不断提升，被称为“第四代超宽禁带半导体材料”的氧化镓将会有更多的应用场景。
从0到1 打造半导体制备核心设备
当采访人员走进宽禁带半导体材料和器件实验室，一代代大型CVD设备映入眼帘。王钢说，这些都是从国外购买回来的CVD设备。 “2006年我们从英国买回这台长氮化物的机器，为了打折我们谈得很辛苦，但也花了我们将近1000万元人民币。 ”王钢说。
为了实现氧化镓外延材料及核心装备从0到1的突破，王钢带领团队开始研制大尺寸、高质量氧化镓半导体薄膜材料异质外延生长用MOCVD（金属有机化学气相沉积）设备，同时研发氧化镓单晶薄膜材料的大尺寸异质外延生长工艺技术。

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