IGBT是由MOSFET和GTR技术结合而成的复合型开关器件，是通过在功率MOSFET的漏极上追加p+层而构成的，性能上也是结合了MOSFET和双极型功率晶体管的优点 。
IGBT的工作原理：IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化 。

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IGBT是什么意思啊？
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 绝缘栅双极型功率管 是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点 。
【igbt是什么,IGBT是什么意思啊？】GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小 。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低 。igbt是vmos和bjt组成，vmos是V型场效应管，电压驱动器件，输入阻抗高，但是输入电容大，igbt是voms在前，bjt在后，好处是在高压大电流应用的时候，后级的bjt压降小，导通电阻的，效率高 非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域 IGBT器件将不断开拓新的应用领域，为高效节能、节材，为新能源、工业自动化(高频电焊机, 高频超声波, 逆变器, 斩波器, UPS/EPS, 感应加热)提供了新的商机 。简单点说就是大功率的开关器件

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