朱一明|存储器数千亿市场外资瓜分大半长鑫存储自主之路逐渐破冰( 二 )

·1985年中科院微电子中心研制成功64K DRAM（比韩国晚一年）；
·1993年无锡华晶制造出第一块256K DRAM（比韩国晚7年）；
·1997年亚洲金融危机爆发，华晶遭遇巨额亏损，最终只能选择转型；
·1999年上海华虹量产出64M的DRAM，但由于市场环境恶化，华虹失去日本企业NEC的技术支持，华虹宣布退出DRAM并转型做晶圆代工业务；
·2004年中芯国际开始进军DRAM领域；
·2008年中芯国际深陷与台积电的官司，被迫放弃了DRAM业务，标志着大陆企业在DRAM领域的尝试，均已失败告终。
不难看出，存储器和芯片市场都是国内相当薄弱的环节，要想发展则需要从国外垄断企业中抢夺市场份额。
长鑫存储应运而生
如果要用一句话来形容长鑫存储所在的存储器行业环境，这句“东方风来满眼春，潮起正是扬帆时”最贴切不过。
2016年5月在“创新之都”合肥，一个上千亿投资规模的芯片制造项目正式启动——长鑫存储，它是中国首个内存芯片自主制造项目，填补了国内DRAM生产制造领域的空白。
长鑫存储自组建之日起便成为业界焦点，原因是芯片国产替代势在必行，而替代需求最为迫切的便是DRAM芯片。
2019年长鑫存储携带着国内首颗自主研发的8GB DDR4闪亮登场，一举成为中国发展DRAM的希望之“芯”。
内存芯片技术门槛如此之高，长鑫存储是如何实现快速跨越的呢？
据悉，长鑫存储的核心技术来源于奇梦达遗留的DRAM专利，后来为了规避可能存在的专利风险，长鑫存储投入25 亿美元的研发费用对原有芯片架构进行重新设计，将产品进行了更新换代。
基于这一专利技术，长鑫存储又成功量产出19nm工艺的DDR4和LPDDR4，成为全球第四家DRAM产品采用20nm以下工艺的厂商，是目前中国大陆唯一能够自主生产DRAM的厂商。
从DRAM三巨头及长鑫存储工艺尺寸发展历程来看，全球前三大厂商—三星、SK海力士、美光于2016-2017年进入1Xnm(16nm-19nm)阶段，2018-2019年进入1Ynm(14nm-16nm)阶段，2020年进于1Znm(12nm-14nm)时代。
在后续的发展过程中，供应商在路线图上又扩展了三代DRAM，这些被称为1anm，1bnm和1cnm。目前，内存芯片进入第四阶段1anm（10nm）的研发。

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据悉，三星已于2020年上半年完成首批1anm（10nm）制程DRAM的出货，2021年美光和SK海力士也开始量产第四代10nm DRAM产品，而长鑫存储目前仍处于1Xnm（16nm-19nm）阶段，与国际先进水平相比，仍存在一定差距。
产能方面，长鑫存储表示，2021年公司已经实现6万片／月的DRAM产能，预计2022年能翻一番，达到12万片／月的产能，未来的目标是实现30万片／月的产能。
公开资料显示，截止2021年，全球DRAM总产能大约是150万片／月，预测到2022年底，会提升至160万片／月左右，届时长鑫存储的12万片产能将获得全球市场份额的8%左右。

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虽然跟全球150万片DRAM 硅晶圆月产量相比，长鑫存储的产能仍然较小，但对于还完全无法自制DRAM的中国大陆来说，却是一大突破。
而长鑫存储之所以能引发市场瞩目，其发展前景的利好因素可被归结为以下两点：1.国家产业环境及政策资金的支持 2. 高质量的人才团队。
1.产业环境方面，从全球DRAM芯片市场销售区域来看，中国是全球第二大DRAM消费市场，仅次于美国。有国内这个庞大的市场做后盾，长鑫存储的市场前景较好。

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朱一明|存储器数千亿市场外资瓜分大半 长鑫存储自主之路逐渐破冰( 二 )

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