中电|赞！中电科二所再创佳绩，助力中国激光剥离设备迈向国产化半导体

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喜讯！近日，中电科二所已经充分掌握了“激光剥离技术”的原理与工艺基础，并利用自主搭建的实验测试平台，成功实现了小尺寸SiC（碳化硅）单晶片激光剥离。

要知道，激光垂直改质剥离设备素有“第三代半导体中的光刻机”之称，中电科二所此次成就，不仅让我国激光剥离设备国产化迎来的曙光，也将助力中国在“第三代半导体材料”上获得更多机会。

随着电动汽车、航空航天， 5G基站等产业的迅猛发展，以及“碳中和”（节能减排）目标的不断推进，以第三代半导体材料为基础的新兴技术迎来了更加广阔的发展空间。

而集高导热率、高饱和电子飘移速率等优势于一身的SiC（碳化硅），正是第三代半导体的代表性材料。不过，由于SiC材料的硬度丝毫不亚于金刚石，因此加工难度极高，这也导致SiC材料的价格一直高居不下，难以推广。

直到激光剥离设备的出现， SiC材料加工难题才得以解决。该设备可以在低损耗、高效率的前提下完成对碳化硅材料的加工，目前已经成为全球科技强国争相研制的关键设备。

那么，你知道什么是第三代半导体吗?
半导体材料是制作晶体管、光电子器件、电力电子器件、集成电路的重要材料，截至当前其发展共经历了三个阶段：

第一代材料以硅（Si）和锗（Ge）为代表，就是第一代半导体的产业园；

第二代材料以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、磷化镓（GaP）为代表，可以说是4G时代的产物，目前我们见到的通信设备基本都是由第二代材料制成；

第三代材料以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、金刚石为代表，他将会成为未来5G时代的标配；其中GaN通常用于小家电，尤其充电器此类低电压产品；SiC则主要用于车载， 5G基站，电网等高电压设备；

中电科二所此次在激光剥离设备上的突破，无疑是我国半导体发展征程上的又一次迈进，值得欣喜但丝毫不能放松。

因为西方科技企业，正在不断挖空心思插足干涉我国半导体芯片的发展。据美国SIA《2020Factbook》报告显示，早在2019年，美国半导体公司的“半导体晶圆制造能力”全球占比就已经高达81% ，换言之美国半导体领域的风吹草动就会波及全球。阿斯麦对东方晶源的打压，实质上就是西方在科技战场对华围追堵截的具化。而这样的“战争”正无时不刻发生在科技行业的各领域。

【中电|赞！中电科二所再创佳绩，助力中国激光剥离设备迈向国产化】不过，凭借国家力量，统一方向，后来居上，向来都是中国不可比拟的巨大优势。原本落后二三十年的中国，现在能和美国在其最擅长、科技水平最高的半导体领域华山论剑，已经是巨大的进步了。加油，相信正积蓄能量的中国芯终将迎来爆发的时刻！