小米科技|雷军再次强调三年内手机销量要做到全球第一，5年投入1000亿研发雷军|芯片|手机行业

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小米近日举办了虎年开年来第一次重要会议——高端化战略研讨会。在这次会议上，雷军再次强调三年内小米要拿下全球手机市场份额第一。

雷军指出，小米高端之路已经走了2年，有成功，也有挫折，目前到了新的阶段，将坚持“快，更稳”的策略，从战略尝试走向战略进攻，从性能领先走向体验优先。将坚定地以手机为中心，全面深化推进“手机XAloT\"的核心战略，营造体验全面领先的智能生态。
雷军强调，高端之路不可能一蹴而就，我们要咬定青山不放松，保持长期的战略定力和持续的投入，坚决执行“5年1000亿”研发计划。在“三年手机销量全球第一”战略牵引下，小米要全面对标iPhone 。高端之路将是一次技术、产品、品牌、品质、服务的全面突破，要靠小米每个团队、每一位同事的努力。
据悉，小米曾在两年前正式发布第一个五年计划，要在未来五年投入500亿，这两年来小米研发投入已超220亿元，工程师已超16000人。
小米此前在宣布造车时，也曾宣布将大手笔投入，号称预计未来10年投资额100亿美元。这两项决定也侧面证实了，小米集团拥有强大的现金流，将支撑小米深度的自研，将持续探索属于自己的技术。
值得注意的是，今年1月份小米推出了第三款自研芯片“澎湃P1” ，由小米12 Pro首发。这是一颗专门的快充芯片，对应的“神仙秒充”技术也获得了2021小米年度技术大奖二等奖。澎湃P1实现了“120W单电芯”充电的突破，这是以往单电芯电池完全无法做到的高功率快充，而单电芯相比于双电芯带来的最显著的优点就是能更节省空间，同等体积下容量更大，对于机身控制也更有优势。官方称，澎湃P1的研发历经18个月，四大研发中心通力合作，耗资过亿，最后终于实现轻薄机身下的大电量120W快充。

不过近日网上出现了很多关于小米澎湃P1不是小米自研的传言，对此，南芯半导体发布了《关于对小米澎湃P1不实传言的说明》辟谣。
南芯半导体在说明中表示，小米澎湃P1芯片为小米自研设计、南芯半导体代工（内部代号SC8561）。这款芯片具备超高压4:1充电架构，实现了120W单电芯充电，支持1:1、2:1和4:1转换模式，所有模式均可双向导通，可实现有线120W、无线50W、无线反充等多种充电功能。
南芯半导体2021年9月发布的南芯SC8571 ，为超高压4:2充电架构，可实现120W双电芯充电，其针对超大功率充电需求，支持4:2、2:2两种模式。
小米自研的澎湃P1充电芯片与南芯SC8571拓扑结构完全不同，是不同设计、不同功能、不同定位的两颗充电芯片。
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