小米|辟谣了!南芯半导体声明:小米澎湃P1为小米自研设计

2月8日消息,今天下午南芯半导体发布《关于对小米澎湃P1不实传言的说明》称,近日关注到网络上出现了很多关于小米澎湃P1的不实传言,与事实完全不符 。
南芯半导体在说明中表示,小米澎湃P1芯片为小米自研设计、南芯半导体代工(内部代号SC8561) 。这款芯片具备超高压4:1充电架构,实现了120W单电芯充电,支持1:1、2:1和4:1转换模式,所有模式均可双向导通,可实现有线120W、无线50W、无线反充等多种充电功能 。
南芯半导体2021年9月发布的南芯SC8571,为超高压4:2充电架构,可实现120W双电芯充电,其针对超大功率充电需求,支持4:2、2:2两种模式 。
小米自研的澎湃P1充电芯片与南芯SC8571拓扑结构完全不同,是不同设计、不同功能、不同定位的两颗充电芯片 。
小米|辟谣了!南芯半导体声明:小米澎湃P1为小米自研设计
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今年1月份,小米推出了第三款自研芯片“澎湃P1”,由小米12 Pro首发 。这是一颗专门的快充芯片,对应的“神仙秒充”技术也获得了2021小米年度技术大奖二等奖 。
据介绍,澎湃P1实现了“120W单电芯”充电的突破,这是以往单电芯电池完全无法做到的高功率快充,而单电芯相比于双电芯带来的最显著的优点就是能更节省空间,同等体积下容量更大,对于机身控制也更有优势 。
官方称,澎湃P1的研发历经18个月,四大研发中心通力合作,耗资过亿,最后终于实现轻薄机身下的大电量120W快充 。
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