英特尔|520亿美元补贴!美国芯片法案通过( 二 )


英特尔和三星等大型芯片制造商最近宣布了在美国建立新工厂的计划,但雷蒙多指出,他们还表示,在联邦政府的帮助下,他们可以“做得更大、更快”。
英特尔豪掷1000亿美元,建世界最大芯片工厂
2022年1月,英特尔表示将投资200亿美元建设2家芯片制造工厂,并计划最终投资1000亿美元,共建设8家制造工厂。其中第一座晶圆厂将于2025年上线。
英特尔|520亿美元补贴!美国芯片法案通过
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据介绍,200亿美元的先期投资是俄亥俄州历史上最大规模的投资,将在新奥尔巴尼占地1000英亩(约合400公顷)的土地上创造3000个就业机会。
英特尔CEO盖尔辛格表示:“此举不仅是为了提高芯片产能,也是为了重振英特尔在芯片制造领域的领先地位。”
英特尔发言人威廉·莫斯表示:“我们的目标是在未来10年投资1000亿美元,但如果没有联邦政府的支持,这一目标将很难在那段时间内实现。不过,最初的200亿美元投资并不依赖联邦补贴。”
英特尔还将大量资本用于劳动力培训,它计划10年内花费1亿美元用于半导体教育,包括培养高技能人才。届时,随着大批高技能人才输出,英特尔表示,员工的平均年薪将达13.5万美元(约85.6万元)。
台积电斥120亿美元, 将5nm引入美国
台积电早在2020年就宣布将投入120亿美元在亚利桑那州凤凰城建造一座5纳米晶圆厂。该工厂于2021年正式开工,预计在2024年投产。建成后的计划产能将达到每月2万片,并会聘用超过1600名员工
时任美国商务部长罗斯(Wilbur Ross)在一份声明中称赞了台积电的计划:“这是台积电、亚利桑那州政府和美国政府之间多年谈判的结果。”
此外,据知情人士透露,美国国务院和商务部都参与了相关计划。
台积电表示,已将2022年的资本支出预算定在400亿至440亿美元之间,创下历史高位,2021年的资本支出约为300亿美元。
三星170亿美元,建3nm芯片厂
三星电子于2021年11月宣布在美国建设半导体代工厂。
据悉,三星将在得克萨斯州泰勒市投入170亿美元,建造半导体工厂。2022年开工建设,力争2024年下半年投入运行。有分析认为,该工厂将生产电路线宽为3纳米的新一代产品。
这项在得克萨斯州的投资也显示出扩大芯片生产规模之艰难。工厂造价高,使用的先进工具每件成本可能超过1.5亿美元,而且需要多年才能建成。
美国政府的态度对此次三星建设工厂明显发挥了作用。美国商务部部长吉娜·雷蒙多在声明中表示欢迎称:“增加半导体的国内生产,对于美国的经济安全保障来说非常重要。”
据报道,三星计划在未来数年内投资超过2050亿美元,旨在提振芯片和生物技术产业,其中芯片制造是优先事项。
这并非美国在芯片领域的首次布局
2021年6月8日,美国国会参议院以68票赞成、32票反对的结果,通过了长达1400多页《2021美国创新与竞争法案》。其中就有用于半导体、芯片和电信领域的540亿美金。
英特尔|520亿美元补贴!美国芯片法案通过
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该法案在提出获批后,一年时间里因为种种原因停滞不前。而本次获得通过的《2022美国竞争法案》将是去年创新与竞争法案的延续。
据悉,这项法案计划拨款约2500亿美元,以应对中国所谓的“科技威胁”,其中大部分支出发生在头五年。
该法案的核心是向商务部紧急拨款500亿美元,用于通过国会先前授权的研究和激励计划支持半导体开发和制造。其中,1900亿美元,从总体上加强美国的技术;540亿美元,用于半导体、芯片和电信领域。