如果纵向比较 , 酷玩 530虽然依旧是PCIe Gen4×4接口规格 , 支持NVMe 1.4协议 , 但它比起相同规划的上一代酷玩 520的5000MB/s的标称速度有了巨大的提升;如果跟第一代的PCIe 3.0的酷玩510相比 , 其速度上则有2.12倍的超越;而比起1系列的SATA产品 , 更是有十多倍的速度超越 。 希捷拿出酷玩 530 , 正是瞄准对性能敏感的游戏玩家和创作类用户 , 实际应用中 , 游戏玩家需要满足游戏加速的长时间、高频度使用 , 像主播更是有录制、推流等更高负荷的存储需求;而对内容创作者来说 , 大容量的高速读写也是常事儿 , 所以酷玩 530这样高性能的PCIe 4.0产品是有大量应用场景支持的 。
一如希捷的习惯 , 酷玩530同样也公布了产品寿命 , 它支持180万小时的MTBF(平均无故障工作时间) , 这其实是SSD的整体寿命指标 , 这样的参数算是PCIe 4.0产品中的较高水准;另外 , 酷玩530提供了最高5100的TBW , 这其实是针对4TB版本的 , 1TB版本的TBW为1275 。 这个参数是衡量闪存颗粒寿命的 , 这个数值跟厂商提供的质保时间其实是结合在一起的 , 以1TB的酷玩530为例 , 5年有限质保和1275TBW任一项到期 , 则意味着SSD出保 。 由此也可算出DWPD(每日整盘写入次数)为0.7 , 意为5年内每天写满全盘容量的70% , 才会超出质保条件 。 另外 , 酷玩530的用户还可享受一次希捷官方提供的原厂数据救援服务(三年内) , 以往这是企业级用户才能享受的待遇 。
虽然我入手的标准版本并没有附属散热片 , 实际上希捷酷玩530也有带有轻薄的散热器的版本 。 可以看到 , 散热器为SSD上下两面均提供了硅脂层 , 而且表面也采用了阳极氧化工艺 , 表面形成额外微孔 , 起到一定增大散热面积的作用 。 这样的散热器实际上是为了空间较大的游戏本、创作本所准备的 , 毕竟笔记本中不能像台式电脑一样安装主板散热装甲 。 另外散热器的尺寸 , 还能装入PS5游戏主机之中 。
三大主件均采用一线配置
从设计上来看 , 酷玩530采用了M.2 2280的尺寸规格 , 虽然官网上标明双面设计 , 但1TB版本明显不需要加入这么多闪存颗粒 , 单面设计足以满足使用 。 文首我们已经提及该硬盘的主控为群联的E18(该主控我们已经评测过多次 , 性能不再赘述) , 与普通版本不同 , 它通过了希捷验证 , 所以打上了希捷LOGO , IC上的编号为STXZYO1049E0 。 酷玩 530的缓存采用了一颗SK hynix的 1GB DRAM , 编号为H5AN8G6NCJ-RVKC , 规格为DDR4 , 这颗DRAM的在PCIe 4.0产品中应用非常广泛 , 适应性不错 。 闪存颗粒上我们可以看到IA7BG94AYA的FPGA编码 , 共4颗256GB的规格 , 共同组成了1TB容量 。 经查询 , 闪存颗粒为镁光原厂的176层3D TLC闪存(B47R NAND) , 镁光这款颗粒在自家英睿达P5 PLUS上应用 , 我们也曾进行过评测 。
为主控专门设计的双平台测试
接下来是干货时间 , 其实酷玩 530的评测之前也有其他媒体已经放出 , 不过相信他们没有提过群联E18的一个重要特性——便是它在AMD和Intel平台下的极限表现其实是有一定差别的 。 这次时间充裕 , 所以我在两个平台上均完整跑了一次分 , 测试结果上其实还是有很多可说的 。
两个平台我们尽量做到提供相同的测试条件 , 不过受限于内存 , AMD平台并不支持DDR 5内存 , 所以区别也主要在这之上 。
首先依旧是CrystalDiskMark , 在1GiB测试文件下 , 可以看到酷玩 530在AMD平台上的顺序读取时间达到7389MB/s , 甚至接近7400MB/s;但在Intel平台下 , 顺序读取时间仅有接近7000MB/s的成绩 。 写入时间上 , 两者的成绩较为接近 。 为了验证这样的问题 , 我连续跑了多次CrystalDiskMark , 得出的成绩都是较为接近的 , 这说明群联E18在AMD平台上的针对顺序读取速度的策略是比较激进的 , 具体原因我会向产业链上游厂商的工程技术人员询问 , 并持续关注 。 另外 , 可以看到Intel平台在4K随机写入是有一定优势的 , 接下来我会在AS SSD里就此问题展开 。
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