起手200亿美元：英特尔世界最大芯片工厂计划出炉，将接收首台先进光刻机机器之心报道编辑：泽南不过

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编辑：泽南
不过成功与否，很大程度上取决于美国政府的520亿美元CHIPS法案。
英特尔新任CEO帕特·基辛格（PatGelsinger）自去年上任以来，英特尔的复兴计划正变得越来越清晰。
1月21日，英特尔在美国俄亥俄州建厂的消息引发了众多媒体的关注。这家芯片公司计划耗资200亿美元在哥伦布市以东建造两座先进制程工厂。英特尔表示，建设将于2022年底开始，生产将于2025年开始。
该公司并没有提供有关晶圆厂每月晶圆产能的信息，但其表示，该计划位于Licking县，占地4平方公里，可以在十年内扩建至八个晶圆厂，总投资增至1000亿美元。

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英特尔俄亥俄工厂2025年完工时的渲染图。
这是英特尔近40年来首次在新地区投资建设晶圆厂，也是英特尔制造业重启计划IDM2.0的重要部分，该计划旨在让该公司重新获得在最先进节点制造芯片，并为其他公司提供代工服务的能力。
英特尔的计划也顺应了美国政府近期鼓励芯片制造业回流的政策。当前全球计算机芯片的最先进制程技术掌握在三星和台积电手中，美国政府计划以520亿美元的激励措施来激励国内生产，后两者已有在美国建设先进制程晶圆厂的计划。
提供这笔资金的法案即CHIPS法案，已在美国参议院获得通过，但尚未在众议院审议。「英特尔在俄亥俄州的扩张范围和步伐......将在很大程度上取决于CHIPS法案的资金，」英特尔制造、供应链和运营高级副总裁KeyvanEsfarjani在新闻稿中表示。
基辛格本周曾表示，如果能获得CHIPS法案的资助，英特尔甚至有兴趣将一些芯片封装、组装和测试的流程带回美国。

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英特尔的新计划受到了白宫的欢迎。
根据英特尔在IDM2.0计划中的路线图，当俄亥俄州新工厂开始生产时，该公司最先进的制程将推进到Intel20A节点（5nm制程），预计这时英特尔将重新回到与台积电、三星相同的领先地位。

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英特尔还将会在新厂实装新型晶体管构建技术：GAA全环绕栅极晶体管，英特尔称其为RibbonFET ，其在芯片微结构上实现了背面供电和埋入式供电，可获得当今先进制程FinFET无法实现的，具有一定设计灵活性的更小、更高效的晶体管。
相比当前方法， RibbonFET把晶体管下方相对较大的电路供电互连挪动了位置，这为晶体管上方区域中传输数据和信号的互连腾出了空间，使芯片更加密集。据英特尔代工服务部高级副总裁RandhirThakur称，俄亥俄州工厂的设计也将支持下一代制造技术，即英特尔18A 。
根据英特尔的路线图， 2025年该公司的Intel18A工艺将上线，其要比当前使用的工艺（Intel7）更新了4代。

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根据目前的消息，新晶圆厂可能会使用下一代光刻系统，即高数值孔径极紫外光刻（HIGHNAEUV）。作为长合作计划的一部分，英特尔本周已向光刻机生产厂商ASML发出了此类机器的第一笔采购订单。另据ASML去年12月透露的信息，第一台原型机将于2023年完成，预计由IMEC（比利时微电子研究中心）装机， 2025年后将量产，第一台预计交付给英特尔。
Gartner分析师AlanPriestley认为，下一代EUV光刻机的单价将高达3亿美元。该技术将使芯片面积缩小1.7倍，密度增加2.9倍。