英特尔|英特尔购买 ASML TWINSCAN EXE:5200 EUV 生产系统

文章插图
【英特尔|英特尔购买 ASML TWINSCAN EXE:5200 EUV 生产系统】今天，ASML 控股和英特尔公司宣布了他们长期合作的最新阶段，以推进半导体光刻技术的前沿。英特尔已向 ASML 发出第一份采购订单，用于交付业界首个 TWINSCAN EXE:5200 系统 - 一种具有高数值孔径和每小时 200 多片晶圆的极紫外 (EUV) 大批量生产系统 - 作为两家公司的长期 High-NA 合作框架。
“英特尔对 ASML 的高 NA EUV 技术的愿景和早期承诺证明了它对摩尔定律的不懈追求。与当前的 EUV 系统相比，我们创新的扩展 EUV 路线图在降低复杂性、成本、周期时间和能量的情况下提供持续的光刻改进，芯片行业需要在未来十年推动经济实惠的扩展，”ASML 总裁兼首席技术官 Martin van den Brink 说。

英特尔在 7 月的 Accelerated 活动中宣布，它计划部署首个 High-NA 技术，以实现其晶体管创新路线图。英特尔在 2018 年率先购买了较早的 TWINSCAN EXE:5000 系统，随着今天宣布的新采购，此次合作将延续英特尔从 2025 年开始使用 High-NA EUV 进行生产制造的道路。
“英特尔的重点是保持在半导体光刻技术的最前沿，我们在过去一年中一直在建立我们的 EUV 专业知识和能力。与 ASML 密切合作，我们将利用 High-NA EUV 的高分辨率图案作为方法之一我们延续摩尔定律，并保持我们向最小几何形状发展的强大历史，”英特尔执行副总裁兼技术开发总经理 Ann Kelleher 博士说。
EXE 平台是 EUV 技术的一个进化步骤，包括新颖的光学设计和显着加快的掩模版和晶圆级。TWINSCAN EXE:5000 和 EXE:5200 系统提供 0.55 的数值孔径--与先前配备 0.33 数值孔径透镜的 EUV 机器相比精度有所提高--以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。系统的数值孔径与使用的波长相结合，决定了最小的可打印特征。
EUV 0.55 NA 旨在实现从 2025 年开始的多个未来节点，这是业界的第一个部署，随后是类似密度的内存技术。在 2021 年投资者日上，ASML 分享了其 EUV 路线图，并表示 High-NA 技术有望在 2025 年开始支持生产制造。今天的公告与该路线图一致。

#科技#