三星3nm芯片良率达到“完美水平”,将助力于下一代尖端芯片制造

三星3nm芯片良率达到“完美水平”,将助力于下一代尖端芯片制造
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你可能还记得 , 去年4月 , 三星代工厂使用其3nm工艺制程生产芯片的良率低得令人无法接受 , 在10%到20%的范围内 。 良率是生产的可接受芯片与一个晶圆上的最大芯片数相比的百分比 。 考虑到用于3nm生产的晶圆的高成本(超过20000美元) , 低产量不会取悦客户或三星股东 。
三星3nm芯片良率达到“完美水平”,将助力于下一代尖端芯片制造】三星3纳米芯片生产良品率现已达到“完美水平”
与此同时 , 据报道 , 全球最大的晶圆代工厂台积电和三星晶圆代工的主要竞争对手台积电的良品率达到了80% 。 但三星一直在努力提高其良率 , 韩国经济日报(来自Wccftech)的一份报告称 , 三星代工在3nm芯片上的良品率目前处于“完美水平” 。 一位可能来自三星内部的消息人士告诉韩国经济日报 , “我们现在正在毫不拖延地开发第二代3nm芯片 。 ”这些芯片的量产将于2024年开始 。
三星3nm芯片良率达到“完美水平”,将助力于下一代尖端芯片制造
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工艺制程是一个数字 , 如今是用于定义下一代尖端芯片的营销工具 。 通常 , 较低的工艺制程数意味着使用较小的晶体管 , 从而导致较高的晶体管数量 。 这很重要 , 因为晶体管数量越多 , 芯片的功能和能效就越高 。
虽然台积电和三星今年都在量产3nm芯片 , 但只有三星在使用环栅(GAA)晶体管 。 这些晶体管使用垂直放置的纳米片 , 允许栅极覆盖电流流动的通道的所有四个侧面 , 从而减少泄漏并提高芯片的性能和能效 。
三星3nm芯片良率达到“完美水平”,将助力于下一代尖端芯片制造
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台积电继续使用采用水平放置鳍片的FinFET晶体管 。 与GAA不同 , FinFET仅覆盖通道的三个侧面 。 台积电将从2025年开始将其2nm工艺制程转向GAA 。 到那年 , 3nm工艺制程市场的收入预计将达到255亿美元 , 而5nm工艺制程的峰值收入为193亿美元 。
三星提高3nm良品率可帮助高通和联发科做出有关3nm生产的决定
三星代工的3nm生产良品率的提高让高通重新考虑是否为明年的高通骁龙8Gen3芯片组转向3nm 。 联发科也在考虑转向最新的工艺制程 。 目前 , 苹果公司可能是今年唯一一家拥有能力成功设计3nm芯片的手机制造商 。 A17Bionic将搭载于iPhone15Pro和iPhone15ProMax机型 , 将使用台积电的3nm制程生产 , 这将使苹果明年比三星更具优势 。
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根据爆料信息显示 , 高通希望从台积电和三星同时采购骁龙8Gen3 , 以防止两家代工厂对晶圆收取离谱的价格 。 但这只在一个条件下有效:三星的产量必须与台积电相当 。 否则 , 高通将被迫只与台积电打交道 , 这对于无晶圆厂芯片设计商来说肯定意味着更高的晶圆价格 。
截至9月 , 台积电在全球晶圆代工市场的份额为53.4% , 三星紧随其后 , 为16.4% 。 返回搜狐 , 查看更多
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