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【光刻机|国产光刻机怎么没声音了?】
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首先要告诉大家的是:目前而言 , 我国最先进的光刻机依然是制程工艺节点为90纳米的步进扫描投影光刻机 , 至于制程工艺节点达到28纳米的浸没式DUV光刻机的各个部件仍在研发之中 , 估计不久之后就可以完成了 , 从而国产光刻机的性能也将进一步得到提升 。
在国产半导体产业链中 , 光刻机是唯一的短板 , 只要光刻机上去了像蚀刻机 , 离子注入机 , 光刻胶等都不是问题 。 所以说 , 如今光刻机已经成为制约我国半导体产业发展的唯一因素 , 只要解决了掣肘的光刻机 , 一切就都迎刃而解了 。
国内芯片的现状
就目前而言 , 在不依赖国外技术的前提下 , 国内最先进的光刻机制程工艺节点是90纳米 , 在国外技术的支撑下 , 不依赖极紫外EUV光刻机时 , 可以将芯片的制程工艺推进至7纳米 。
不过美国已经对我国限制了12纳米以下芯片的生产 。 在去美国化时 , 国内目前的芯片最高的制程工艺也就是14纳米 。
14纳米的制程工艺芯片已经可以满足国内军工、工业、航天、航空、汽车的需求了 。 毕竟以上企业对芯片可靠性 , 耐高低温 , 抗辐射性能要求比较高 , 对制程工艺并没有那么苛刻的要求 。 对制程工艺要求比较高的就是手机和电脑所用芯片 , 这可是拼硬实力的 。
也就是说 , 即便是美国限制了12纳米以下制程工艺的芯片生产 , 但是也无可奈何国内工业的发展 。
国内光刻机的现状
上文提到了 , 依靠我国自主的技术 , 仅能制造出制程工艺节点为90纳米的光刻机 , 不过并这不意味着使用该光刻机只能制造制程工艺为90纳米的芯片 , 在经过多次曝光等步骤之后 , 芯片的制程工艺还会有进一步的提升 。 倘是如此 , 那也无法与极紫外EUV光刻机相比 。
而与光刻机有关的三大部件就是光源 , 透镜组 , 双工件台 。 只要解决了这三大部件 , 光刻机所面临的难题也就迎刃而解了 , 同时这三大部件也是光刻机中难度最高的 , 毕竟事关光学 , 超精密加工等等 。
我国光刻机的三大部件
第一:光源
目前来看 , 我国已经制造出来了适用于步进投影式DUV光刻机的第三代光源 , 也就是波长达到248纳米 , 重复频率为4000hz , 功率为40瓦的氟化氪激光器 。 由于波长只有248纳米 , 也就自然无法用于极紫外EUV光刻机 , 毕竟极紫外EUV光刻机所用的光源波长为13.5纳米 。
第二:透镜组
由于国内与光刻机有关的透镜或者反射镜的消息很少被披露出来 , 所以对于国内的物镜系统的有关进度是知之甚少 。 既然有了成熟可用的步进式投影式DUV光刻机 , 那么透镜系统就必然已经被制造出来了 。 不过 , 这只是透镜而不是反射镜 , 也无法用于极紫外EUV光刻机 。
第三:双工件台
双工件台也有现成的 , 那就是自主研发的DWS系列 。 该双工件台的平均运动偏差为4.5纳米 , 标准运动偏差为7纳米 , 最大速度为1.1米/秒 , 最大加速度为2.4g 。
正在研发DWSI系列 , 同样采用了磁悬浮平面电机驱动 , 不过换成了平面光栅干涉位移测量技术 。
在以上技术的加成下 , 就缩小了运动偏差 , 加速度 , 运动速度等数据 。 最终DWSI双工件台的平均运动偏差为2.5纳米 , 标准运动偏差为5纳米 , 最大速度为1.5米/秒 , 最大加速速度为3.2g 。
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