功率|星空行研︱功率半导体，一个滚雪球的赛道( 二 ) 比武|家宽|网络|真功夫|装机

图片来源：意法半导体
但是，IGBT虽好，也不是谁想造就造的。IGBT产业链包括芯片设计、晶圆制造、模块封装、下游应用四个环节，其中芯片设计肯定是相对高壁垒的环节，而且相对于其他功率器件难度略大，对新进入者并不是那么友好。我国想突破卡脖子难题，非一日之寒。英飞凌已经迭代了7次IGBT芯片，而目前市场主流水平才相当于英飞凌的第4代。
图片：IGBT的加工流程
来看一下IGBT赛道的厮杀状况，就会发现头部效应集中的现象非常明显。全球英飞凌一家吃了将近40%的市场份额。看向国内，国内IGBT自给率不足15%，能拉出来打的只有比亚迪微电子和斯达半导体。所以，我国IGBT行业仍存在巨大供需缺口。索性庙堂也意识到了这一点，2017年推出了工业强基IGBT器件一条龙应用计划，从设计、到制造、再到设备，都要自主掌握。
笔者相信，国产替代，一定IGBT的主旋律，只是时间早晚的问题。
图片来源：英飞凌年报
图片：中国电动乘用车2019年IGBT配套份额
集中力量办大事，就没有办不成的事。根据智研咨询的预测，2024年我国IGBT市场自给率将达到40%，国产替代趋势明显。
碳化硅（SiC），未来靠你了
我们得用发展的眼光看问题。
IGBT虽然，但它毕竟是硅（Si）基，而碳化硅功率模块的出现，可大幅减少开关损失，给新能源汽车电驱系统带来直接的效率提升，从而减少电力损失。而且，碳化硅模块的封装尺寸更小，从而能够减少逆变器（把直流转换成交流的装置）的重量，实现轻量化的效果。
但是前几年，碳化硅渗透率还没有打开主要是因为成本过高。但2019年开始已经走上了降本之路，但是价格还是远高于硅基IGBT，相差5-8倍。当前全球市场上，6英寸碳化硅衬底已经实现商业化。
图片：SiC 器件成本下降趋势明显（单元：元/A）
虽然碳化硅自身成本高，但它优异的性能优势，能使得汽车的综合成本下降。比如已经有高端车型（特斯拉、比亚迪、蔚来）开始搭载碳化硅器件。

文章插图

最后，给各位投资者也注入一针强心剂。根据各机构给出的研究预测，未来的碳化硅，2025年是规模扩大的拐点，系能源汽车成为其最为重要的增长点。
图片：全球SiC功率器件市场规模（单位：亿美元）
最后，笔者想说，功率半导体，是一个滚雪球的赛道。只要持续的精进自己的技术能力，总有机会占据一席之地。
这两年，我们时常提出卡脖子这个词，尤其对于芯片这种高端制造行业。有了卡脖子，随之而来的就是国产替代。这条路，已经在其他无数个赛道上被验证。但是，芯片要自主发展，必将是一场旷日持久的战争。要打赢持久战，离不开政策和资本的支持，更离不开人才和平台的培育和发展。
相信多少年后，笔者再回顾这个行业的发展时，我国的玩家们，能书写出浓墨重彩的一笔。
注：本文不构成任何投资建议。股市有风险，入市需谨慎。没有买卖就没有伤害。