euv|每台近 20 亿元,ASML 下一代 EUV 光刻机将提前量产:明年交付( 二 )


Gartner 半导体分析师 Alan Priestley 称,ASML 的新机器将允许芯片制造商制造 3nm 以下的芯片。目前世界上最先进的芯片都在 3nm 及以上。
Priestley 补充说,高 NA 机器将耗资约 3 亿美元(超 19 亿人民币),是现有 EUV 机器的两倍,并且它们还需要更复杂的新镜头技术。
芯片是如何制造的芯片通常是由一个晶圆片上的 100-150 个硅层组成,只有最复杂的设计才会需要 EUV 机器,目前大部分芯片都可以用 DUV 机器制造。当然,ASML 也制造其他工具。
正如上面提到的,这是全球顶尖供应链合作的产物,往往每一台 EUV 机器都需要数年时间才能完成,而 ASML 一年只能出货这么多。从财务数据来看,它去年仅售出了 31 部,而且这么多年总共只生产了 100 部左右。
euv|每台近 20 亿元,ASML 下一代 EUV 光刻机将提前量产:明年交付
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埃森哲 (Accenture) 全球半导体主管 Syed Alam 表示:“与传统的 EUV 机器相比,High NA 机器可提供更大的透镜,也就能够刻出更精细的图案,从而能够高效地量产更强的芯片。”
他透露:“芯片制造商不得不依赖双重或三重模式,这非常耗时”“使用高 NA EUV 机器,他们能够在一层上直接完成这些功能,从而实现优异的周期和工艺灵活性。”
Alam 表示,芯片制造商也因此必须在更好的性能和更高的成本之间进行权衡“这对于高分辨率的 EUV 机器来说尤其如此,因为大镜头也就意味着更高的采购成本和维护成本。”
在上月的 ITF 大会上,半导体行业大脑 imec(比利时微电子研究中心)公布的蓝图显示,2025 年后晶体管进入埃米尺度(?,angstrom,1 埃 = 0.1 纳米),其中 2025 对应 A14(14?=1.4 纳米),2027 年为 A10(10?=1nm)、2029 年为 A7(7?=0.7 纳米)。
当时 imec 就表示,除了新晶体管结构、2D 材料,还有很关键的一环就是 EUV 光刻机。其透露,0.55NA 的下代 EUV 光刻机一号试做机(EXE:5000)会在 2023 年由 ASML 提供给 imec,2026 年量产。
据悉,相较于当前 0.33NA 的 EUV 光刻机,0.55NA 有了革命性进步,它能允许蚀刻更高分辨率的图案。
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