有消息称，根据三星的计划，3n工艺会放弃FinFET晶体管技术，转向GAA环绕栅极，3nm工艺上分为两个版本，其中3GAE(低功耗版)将在2022年年初投入量产，3GAP(高性能版)则会在2023年年初批量生产。
目前具体工艺指标还没有公布，仅知采用GAA晶体管，跟3nm一样基于MBCFET(多桥沟道FET)技术，这是一种纳米片晶体管，可以垂直堆叠，而且兼容现在的CMOS工艺，共享设备与制造方法，降低了新技术的升级成本。
三星的2nm工艺是一大进步，创新亮点不少，而且跟现在已有的2nm技术不同——此前IBM全球首发了2nm芯片，指甲盖大小的面积就可以集成500亿晶体管，相比7nm工艺提升了45%的性能或者减少75%的功耗，预计2024年量产。
【 finfet|基于MBCFET，三星计划2025年量产2nm工艺】三星也参与了IBM的2nm技术，然而自己量产的2nm技术跟IBM的2nm并不一样，后者需要新的生产方法，三星还会依赖自家研发的2nm技术。

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