在3nm节点,三星为了跟台积电竞争,激进地选择了下一代的GAA晶体管技术,台积电方面更稳妥一些,第一代3nm工艺依然在使用FinFET工艺,好处是今年下半年就可以量产。
在今天的财报会上,台积电也解释了他们的3nm工艺的进展,强调3nm工艺发展顺利,正按照计划在下半年量产。
台积电强调,3nm继续使用FinFET晶体管是综合考虑在,能提供给客户最成熟的技术、最好的效能及最佳的成本。
据台积电官方资料显示,台积电的3nm相比上一代的5nm工艺,在逻辑密度上提升了1.7倍,性能提升了11%,同等性能下功耗可降低25-30%。
此外,台积电也透漏了增强版的3nm工艺N3E,称它会在3nm工艺量产一年后量产,也就是在2023年推出,会带来更强的性能。
【 工艺|3nm不上GAA 坚持FinFET技术 台积电:最佳成本选择】不过台积电对N3E的技术细节还是保密,没有透漏是否会升级晶体管架构。
文章插图
- AMD|AMD预告新款Radeon Pro专业卡:第一次用上6nm工艺
- Intel找台积电打造专属3nm的工厂:并非短期合作?
- 工厂|为Intel单独建3nm工厂?台积电回应合作问题:不过度依赖单一客户
- 网贷平台|网贷平台为啥不担心你还不上?对方早就计算清楚了
- 苹果|苹果的处理器算不上是soc,毕竟没有内置基带,信号差于安卓手机
- gpu|借鸡生蛋孵化新一代芯片,消息称台积电将为英特尔设3nm专线
- 公司|南大光电董秘回复:公司ArF光刻胶主要在 90nm-28nm 技术节点的逻辑和存储芯片制造工艺端进行认证
- 十三月undecember官网进不去 undecember官网登不上怎么办
- 台积电正式官宣,事关3nm芯片
- iPhone|ZOL科技早餐:台积电3nm下半年量产,iPhone 14采用“感叹号”形打孔屏