半导体|专访纳微半导体：双碳时代的芯片，可以在氮化镓上造( 二 ) 芯片|汽车|充电器|it芯片|数码

而纳微的功率氮化镓器件集成了驱动、控制和保护在其中，就可以不依赖外部集成参数的影响，让开关频率得到充分释放。目前，纳微的电源适配器主流开关频率可以达到300-400K ，模块电源合作伙伴甚至已经设计到了MHz级，因此纳微设计出来的功率密度，比传统硅或分立式氮化镓要高很多，很多案例产品都远远大于1W/cc的功率密度，这是纳微在氮化镓功率器件领域的优势。
目前，纳微的氮化镓在市面上的主流系列是GaNFastTM ，它把驱动控制和保护做在功率器件上面，主要采用QFN封装技术，使其大体布局和传统的硅和分立式氮化镓区别不大，因此有着同样出色的泛用性。
GaNSenseTM ，是纳微在GaNFastTM基础上做的进一步性能提升，它可以替代原有的GaNFastTM ，其中包含了无损电流采样，待机功耗节省以及更多保护功能的集成。
黄秀成指出，全新的GaNSenseTM系列具备四项突出优势：
【半导体|专访纳微半导体：双碳时代的芯片，可以在氮化镓上造】第一，无损可编程的电流采样，这是纳微半导体的专利技术。它主要代替了原来采样电阻的功能。原本，功率回路里有功率器件+功率采样电阻这两个产生损耗的元件，而变成无损采样之后，可以节省损耗、能效提升。此外还有两个衍生的好处：一是PCB布局面积更小、更灵活、更简单，这是因为原来采样电阻通常会采用3毫米乘以4毫米封装，但通过内部集成，无损采样的方案，可以缩减PCB尺寸；二是解决热耦合问题，原来有两个发热元件在这个系统里面，现在直接拿掉一个，整体的热系数表现会更好，耦合系数更低，而器件本身工作温度更低，系统效率也会提升。
第二，过流保护技术。 GaNSenseTM技术外部基于采样电阻，采到的信号交由控制器判断是否发生过流情况；内部设定了一个阈值，如果触碰到阈值，直接关掉，避免出现如短路、过功率等等情况。
第三，过温保护技术。与过流保护同理，内部设置阈值160度，超过阈值直接把芯片关掉，芯片会自然冷却，冷却到低于100度，再去参考PMW信号，有信号时继续工作，如果异常情况没有解除，温度继续上升，阈值碰到160度继续关断，在区间内精准控制节温的范围。
第四，智能待机技术，弥补了GaNFastTM之前的不足。待机问题对于充电器来说非常重要，目前最严苛的标准是做到25毫瓦或30毫瓦以内。纳微在GaNFastTM上已经实现了超低待机功耗，但是为了实现这一点，整个系统设计的相对复杂一些。而更加完善的GaNSenseTM技术，通过智能检测PWM信号让芯片进入待机模式，整个待机电流从GaNFastTM的接近1毫安降低到接近100微安，这使得整体待机功耗大幅下降。同时，纳微半导体也对待机唤醒做了优化，当第一次出现脉冲时， 30纳秒之内就可进入正常工作模式。
此外， GaNSenseTM主要有三个应用场景。第一，目前快充最火爆的QR Flyback的应用场景，可以代替原先的主管和采样电阻；第二，带PFC功能的场景，可以提升能效；第三个应用场景是非对称半桥，随着PD 3.1的代入，非对称半桥这个拓扑一定会慢慢地火起来，这个拓扑里面有两个芯片，作为主控管可以用GaNSenseTM ，因为也需要采样电流，上管作为同步管则可以用GaNFastTM系列代替。
目前，纳微GaNSenseTM系列已经全面上市，拥有6×8 ， 5×6等不同规格的封装，拥有最小120毫欧、最大450毫欧等覆盖从二十几瓦快充到一两百瓦快充不同选择。此外，合作客户也已经开始使用GaNSenseTM ，比如小米已经实现量产的120W氮化镓充电头，是目前业界最小的120W解决方案；还有联想YOGA 65W双C 。