光刻机|国产光刻机,仅达到90nm,已成芯片制造的最大短板了

光刻机|国产光刻机,仅达到90nm,已成芯片制造的最大短板了

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光刻机|国产光刻机,仅达到90nm,已成芯片制造的最大短板了

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【光刻机|国产光刻机,仅达到90nm,已成芯片制造的最大短板了】众所周知 , 中国大陆的芯片产业要发展 , 与台湾省、与韩国、与日本、欧洲、美国等国家和地区的情况都不一样 , 复杂很多 。
像台湾省、韩国、日本等地 , 要发展芯片产业 , 是整合全球的供应链 , 买最先进的产品 , 再整合起来就行 , 真正的全球一体化 。

但中国大陆要发展芯片产业 , 全球一体化只是想一想而已 , 需要的是全国产产业链的崛起 , 因为美国一直想方设法的卡着我们发展芯片产业的“脖子” , 特别是一些先进的设备 , 就不允许卖到中国大陆来 , 全球一体化实现不了 。
所以一直以来 , 国产芯片供应链都是在负重前行 , 先解决从0到1的问题 , 再从1慢慢发展到10 , 最终达到全球顶尖水平 , 与国际巨头扳手腕 。
那么问题来了 , 当前国产半导体设备中 , 技术最先进的是哪一种 , 技术相对最落后的又是哪一种呢?

上图这张图 , 其实说得非常明白了 。 刻蚀机应该是当前国产半导体设备中 , 唯一达到国际先进水平的 , 已经达到了5nm 。
这家公司就是中微公司 , 其生产的刻蚀机 , 早就实现了5nm , 被台积电、中芯等晶圆厂使用 。
事实上 , 刻蚀机之前也是被美国禁运的 , 但随着中微公司的先进刻蚀机后 , 禁运也就没意义了 , 于是放开了市场 , 中国厂商可以随便买 。

而技术相对落后的则是光刻机了 , 目前上海微电子生产的光刻机 , 其标注的精度还在90nm 。 而ASML的光刻机 , 已经能够生产3nm的芯片了 , 这中间的差距还是相当大的 。
也正因为光刻机技术差距大 , 所以目前光刻机是禁运的 , 比如EUV光刻机美国就不准ASML卖到中国大陆来 , 为的就是阻止我们进入到7nm 。
前段时间还传出美国要对14nm及以下的设备下手 , 实行禁运 , 原因就是国内的设备 , 能够实现14nm以下节点不多 , 更多的还处于14nm、28nm阶段 。

可见 , 光刻机已经成为了当前我们制造芯片的最大短板了 , 所以国产光刻机真的要努力才行 , 不说实现5nm , 先实现28nm , 再搞定14nm , 先实现与其它国产半导体设备一个节点才行 , 你觉得呢?
而只要国产半导体设备有了突破 , 达到先进水平 , 禁运也就没有了任何意义 , 也就会全面放开了 , 刻蚀机就是最好的例子 。