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我最近被中国芯片发展的速度惊呆了 , 原来中国科技的发展速度还真不是盖的 , 不仅在原有技术基础上实现突破 , 更是绕开了美国技术 , 创造了很多全新技术领域 , 不仅如此 , 中国在芯片领域发展的速度 , 甚至惊呆了国外媒体 , 国外媒体声称全球发展最快的19家半导体企业都是中国企业 , 最关键是绕开美国技术 , 也意味着美国技术霸权时代的结束 , 同时也意味着我们摆脱美国技术已成定局 , 只要未来全球芯片产业没有巨大的改变 , 那么可以说中国芯片发展已经势不可挡 。
究竟中国在芯片领域取得什么进展?为何要说摆脱美国技术已成定局呢?请慢慢听我娓娓道来 , 您听过摩尔定律吗?您听过量子隧穿效应吗?今天要说的这个有点意思 , 那就是国外传统芯片技术 , 您没听错 , 已经是传统芯片技术 , 可以说他们已经发展到头了 , 迎来的将是中国全新芯片技术的崛起 。
首先摩尔定律是英特尔创始人戈登·摩尔的经验之谈 , 其核心内容就是在芯片领域 , 芯片的晶体管数量大约每经过18个月左右就会倍增 , 也就是说芯片的性能大约每两年就会翻一倍 , 比如前年我们手机搭载的最强芯片还是7nm制程 , 去年就已经有5nm制程工艺的芯片 , 今年国内手机旗舰机更是已经搭载4nm芯片 , 芯片性能确实如同摩尔定律那样 , 几乎每年都会实现一定程度的增长 , 然而从今年芯片先进制程研发的进展速度来看 , 摩尔定律好像已经失效了 , 这也就是说芯片性能每隔18个月左右就会翻一番的说法已经被推翻 。
确实如此 , 您可以细品一下 , 从7nm到5nm用了两年的时间 , 从5nm到4nm用了半年的时间 , 然而现在都过去了多久了 , 3nm芯片还没有开始量产 , 足以可见芯片性能提升的难度已经越来越大 , 越往后就会面临更大的挑战 , 虽说经常有爆出台积电已经开始量产3nm的消息 , 但是真正的产品没有出现之前 , 那么它就还是个假消息 , 正所谓眼见为实 , 3nm芯片到现在还没有出现 , 这也意味着摩尔定律已经被彻底打破了 , 要知道按照之前芯片制程发展的速度 , 3nm应该在今年就会出现才对 , 然而现在还没有出现 , 这也侧面证实了摩尔定律被打破的说法 。
摩尔定律被打破已成事实 , 但是也还有挽回的局面 , 只要芯片制程的研发速度进一步加快 , 甚至可以跳过3nm直接研发2nm工艺 , 那么摩尔定律也许就又有效了 。 然而另外一种现象却不是人为所能控制的 , 那就是量子隧穿效应的现象 , 它将会导致国外芯片技术发展走到尽头 , 同时也会让芯片在1nm制程以后彻底无法提升性能 , 那么量子隧穿效应到底是什么?它对芯片制程的研发会产生什么影响呢?我国又会如何应对这个影响人类科技发展的现象的呢?
其实简单来说 , 量子隧穿效应就是电子等微观粒子能够穿入或穿越势垒的量子行为 , 为了更好地理解量子隧穿效应对芯片制程的影响 , 我们可以先简单了解一下芯片的工作原理 。
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