光刻胶|首次出口，最高用于7nm！日本钳制韩国的材料，终于被中国解决了( 二 ) 芯片|半导体

那么应用于45nm-7nm芯片制造的ArF光刻胶，我国是否能生产呢？

答案是肯定的，而且最近的消息令人惊喜。实际上去年南大光电就已经研发出了193nm的深紫外线ArF光刻胶，并且已经建成了年25吨的生产线，并且获得了国内芯片制造企业的认证和购买，并且在今年7月份，南大光电还获得了国外客户的小批量订单，这是中国最先进的光刻胶首次导入海外市场。
虽然当前最先进的制程已经达到5nm、3nm甚至2nm ，所需要的光刻机也升级为EUV光刻胶，但是中国并不是没有相关的技术。

【光刻胶|首次出口，最高用于7nm！日本钳制韩国的材料，终于被中国解决了】因为早在2018年，中科院化学研究所、中科院理化研究所、北京科华微电子材料有限公司已经完成了EUV光刻胶关键材料的设计、制备和合成工艺研究、配方组成和光刻胶制备、实验室光刻胶性能的初步评价装备的研发，共申请发明专利15项。相信随着EUV光刻机最终破局，进入到国内市场之后， EUV光刻胶也会迎来需求的大爆发。