红米手机|ASML着急原因找到了？港城大突破核心技术，助力国产EUV光刻机！红米k50|小米科技

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ASML着急原因找到了？港城大突破核心技术，助力国产EUV光刻机！
自从芯片限制启动开始，国内的半导体产业发展，就不能再指望美技术体系了，在老美的步步紧逼下，使用了含美技术的国际企业相继沦为“棋子” ，就连拥有顶级技术的台积电、ASML也未能幸免。
老美目前有意升级DUV光刻机的限制，正在想方设法对ASML施压，要求其中断供应中国市场，但这一次ASML并没有妥协，在态度上异常的强硬，并没有放弃布局中国市场，很多人都好奇其中的缘由。

光刻机作为打破封锁的关键，除了中科院之外，各大高校研究所也进行了深入研究，近期香港城市大学的团队研发出了新型超构透镜，让国产EUV光刻机的诞生又近了一步，这是ASML着急的原因吗？
光刻机核心技术迎来突破在意识到国内芯片困境之后，来自港城大的电机工程系教授蔡定平团队，一直聚焦于相关技术的研发，而此次团队研发的新型真空紫外光超构透镜，可被用于半导体制作、光化学、材料科学等等高端领域。
名为《真空紫外非线性超构透镜》的论文，已经被发表在了Science Advances 上，其中提出了具有发展前景的新方法，基于介电超构表面的新型真空紫外光子器件将会成为后续研发重心。

而这款新型的非线性超构透镜，可以同时产生、聚焦45微米直径的真空紫外光，借助二次谐波产生过程，可以将394纳米的紫外光转化成真空紫外光，并且波长降低为194纳米，通过一些列的步骤可实现光斑直径小于 200 万分之 1 米，聚焦光点的功率密度提升21倍不止。
而传统的真空紫外器件，有着系统体积大、材料吸收强等等一系列问题，在使用上全新的透镜之后，这些问题得到了一并的解决，但目前在低损耗的光学元件、紧凑型的相干光源上，还需要进行相应的优化。

而光刻机的制造最主要的三大系统，分别为光学系统、光学镜头和双工作台系统，在港城大突破光学镜头工艺之后，意味着这三大核心技术，国内均已经实现了相应的突破，距离EUV光刻机的国产化又近了一步。
但短期之内实现国产化还是有点困难，一台EUV光刻机所需要用到的零部件高达10万个，需要高度依赖于全球供应链，即便是ASML也有超过80%的零部件需要来自二十多个国家供应，名副其实的“组装厂”！

目前国内企业只是聚焦于，被老美垄断的核心技术攻克，但显然光有这些技术是不够的，如果得不到国际供应链的支持，要完成数十万零部件的国产化也不现实，因此3-5年内是难以实现EUV光刻机的国产化。
ASML开始着急了虽然我们暂时还无法制造出EUV光刻机，但核心技术的不断突破，显然已经给ASML造成了很大的压力，毕竟这三大核心技术，其也要依赖于国际供应链，如果连这么难的技术都被国内突破了，那么相对简单的技术只要有足够的时间，实现攻克自然是没有问题的。
而此次港城大突破的正是光学镜头技术，此前光源技术、双工件台都已经被国内研究所攻克，充分证实了越是限制，越是会加速技术研发进程，因此在老美打算加速进一步限制DUV光刻机时， ASML只能选择反抗。