ssd|这里有一款非常优秀,而且很有上进心的SSD

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企业级SSD在支持PCIe 4.0接口后 , 顺序读写性能获得了充分释放 。 当然 , 我们衡量SSD的性能不仅仅只看接口带宽 , 随机访问、稳定性等方面也需要得到重视 。 Solidigm近期推向市场的D7-P5520和D7-P5620在控制器、闪存介质方面都有所改进 , 提供了更多容量点供用户选择 , 随机访问指标也有了明显提升 。
去年Solidigm D7-P5510上市时仅提供了3.84TB和7.68TB两个容量点 , 而D7-P5520向下增加了1.92TB , 向上扩展到15.36TB , 共有4个容量点 。 获得丰富的还有外形——除了传统的U.2 , 还增加了面向未来的E1.L和两种厚度的E1.S , 用户可以更灵活地按需选择 。

与前代产品D7-P5510相比 , D7-P5520最大的变化是NAND闪存介质的迭代:采用第二代144层3D NAND , 通过BBD(Block By Deck)和独立多平面读操作(IMPRO)等技术特性提升了随机读取性能和服务质量(QoS) 。 介质性能的改进 , 让D7-P5520可以用相对较小的容量提供较好的性能 。
内有乾坤
我们收到的D7-P5520样品的容量为7.68TB , 采用15mm厚度的U.2外形 。 得益于NAND Flash介质密度的提升 , 这样的容量只使用了一块PCB即能实现 , 盘体的厚度主要留给硕大的电容(耐压35V , 容量1000μF)使用 。
D7-P5520的PCB布局与D7-P5510相似 , 主控封装缩小 , 封装编号LNQG(P5510为LNBX) , 说明主控还是经历了硬件层面的小迭代的——这从产品的一些规格也可以看出来 , 譬如P5520支持NVMe 1.4 , 而P5510为NVMe 1.3 。 顺便提一下 , 同期送测的D5-P5530的封装尺寸与编号与D7-P5510相同 , 支持NVMe 1.3 。

提到P5530 , 大家可能会有点儿懵 , P5530发布的好像比P5520还要早一些 , 有P5530了 , 为什么还要测P5520?其实二者的定位是不同的 , 完整的型号命名应该包括前面的“D7”或“D5” 。 在这里我们顺便回顾一下Solidigm固态盘的命名规则:
命名原则
1. Solidigm使用Dx Pxxxx Series(其中“x”为数字)来对产品系列命名 。
2. Solidigm NVMe固态盘以D加数字开头 , 代表产品是定位性能还是性价比导向 。 如数字7代表性能导向的NVMeSSD , D5代表大容量优先 , 而数字3则代表性价比导向的SATASSD , 数字1代表入门性能 。
3. Pxxxx中的字母P代表PCIe接口产品;S代表SATA;D为DualPort NVMe 。
字母后第一位数字代表第几代控制器;
字母后第二位数字代表寿命等级 , 数字越大 , 写入量越大;
字母后第三位数字代表介质的迭代;
字母后第四位数字代表其他特性 , 如0为普通 , 1为低功耗 , 2为性能优化 , 6为大容量 IU(Indirection Unit , 如16K或64K) , 8为PCIe x8 AIC 。
综上 , Solidigm D7-P5520的产品定位是性能导向 , 控制器是第5代架构 , 设定为标准寿命的主流NVMe固态盘产品 。 而D5-P5530的性能相对D7-P5520要略低一些 , 介质方面也更换为SK Hynix的NAND Flash颗粒 。 至此 , Solidigm(含前Intel SSD部门)的第五代架构SSD已经经历了4个版本的介质 , 包括2020年中发布的D7-P5500/P5600系列使用的96层3D NAND Flash , 2021年初出货的D7-P5510/D5-P5316系列使用的144层3D NAND Flash , 今年初发布的D7-P5520/P5620系列使用改进的144层3D NAND Flash , 以及采用SK Hynix NAND Flash的D5-P5530 。 这次评测我们重点关注D7-P5520改良的性能表现 , 下一次的评测我们会关注换用SK Hynix介质的情况 。