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台积电生产的每一代旗舰芯片都在刷新业内科技水平纪录 ， 尤其是在智能手机领域 ， 跑分已经成为衡量芯片性能的一大参考因素 。 4nm制程工艺的芯片跑分已经突破一百多万 ， 如果到了更先进的3nm芯片 ， 恐怕跑分还会更高 。

值得一提的是 ， 台积电3nm已经取得了重大突破 ， 预计8月份投产 。 台积电已经准备量产3nm ， 三星呢？3nm芯片时代要来了？

台积电3nm取得重大突破台积电是全球芯片工艺领导者 ， 是芯片制造行业的标杆 ， 以台积电为主的技术体系生产了全球一半以上的芯片 。 其公司产品覆盖广泛 ， 手机、汽车、电脑等等都有台积电芯片工艺技术的身影 。
不只是产品覆盖广泛 ， 而且芯片技术工艺也在持续提升 。 已经实现5nm ， 4nm高端芯片量产的台积电 ， 已经在向着3nm芯片工艺出发了 ， 而且传来了关于3nm芯片的最新进展 。

据台媒表示 ， 台积电3nm取得了重大突破 ， 预计8月份投产 。
另外初期的产量大概在每月4万到5万片 ， 工艺架构采用FinFET作为3nm制程底座 。 这种鳍式场效晶体管被沿用了十几年 ， 除了台积电之外 ， 其余的中芯国际 ， 英特尔和三星等芯片制造巨头都在鳍式场效晶体管架构层面取得相应的工艺突破 。
没想到台积电依然沿用FinFET下探到3nm芯片工艺 。 除了能看出FinFET架构的广泛适用性质之外 ， 说明台积电在这一架构的技术积累是非常深厚的 。

台积电量产3nm只是时间问题 ， 而这个时间就在不久后的8月份 。 实际上台积电多次对3nm进行表态 ， 都展现能顺利量产的自信 。
看得出来 ， 台积电对3nm是做了充足准备的 。 既然台积电已经准备量产3nm ， 那么同样在追求3nm制程的三星 ， 又有怎样的表现呢？
三星3nm表现如何？【国际空间站|3nm芯片要来了？台积电取得重大突破，预计8月份投产】和台积电一样 ， 三星也在3nm取得了重大进展 ， 去年便实现了3nm的流片 ， 意味着三星也有条件和实力进入3nm工艺时代 。 不过和台积电不同 ， 三星采用的3nm架构为环绕闸极（GAA）架构 。

这种架构属于新型技术 ， 对增强晶体管效能有显著的效果 。 据三星表示 ， 3nm GAA技术比7nm提高了35%的性能 ， 降低50%的功耗 。
三星大胆探索GAA工艺 ， 而且从其公布的数据来看 ， 似乎还有不错的表现 。
业内纷纷将三星GAA工艺和台积电FinFET进行对比 ， 得出的结论是三星3nm芯片性能将优于台积电3nm 。
不过这只是理论 ， 实际表现还会因为芯片良率 ， 芯片设计以及架构技术等等多方面影响芯片的好坏 。

所以理论只是参考 ， 真正具备怎样的芯片性能水准 ， 还是得看实际芯片产品 。 台积电已经确定在8月份投产3nm ， 尽管三星的3nm已经实现流片 ， 看起来还有不错的性能水准 ， 但具体的量产时间还不确定 。
3nm芯片时代要来了？不出意外 ， 台积电和三星都会在今年进入到3nm工艺制程 ， 启用3nm生产线为客户生产芯片 。 不过相对于台积电来说 ， 三星的3nm空有生产线和技术 ， 但是在客户这方面 ， 可就悬了 。

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