杀手锏|点燃5nm制程之战光刻机巨头推出光检测杀手锏,产能有望提升六倍( 三 )


与单光束工具相比,多光束掩膜写入器使用成千上万个细小束,可以以更快的速度对高级掩膜进行图案化或写入,也能写入更复杂的掩膜图案。IMS多光束工具平均12个小时可以完成掩膜写入工作。
所以,ASML、NuFlare、KLA-Tencor以及被英特尔收购的IMS Nanofabrication等公司多年来都在研发「多光束检测」。但由于制造复杂,出货量非常小。且多光束一直存在光束之间互相干扰的问题。



杀手锏|点燃5nm制程之战光刻机巨头推出光检测杀手锏,产能有望提升六倍
文章插图

IMS Nanofabrication的多光束工具
阿斯麦推出的HMI eScan1000独创性在于是第一个具有9束3×3配置的完整多光束系统,能够同时产生、控制九道电子束,将产能提升了600%。
新的MBI系统还包括一个电子光学系统,该系统能够创建和控制多个一次电子小束,然后收集和处理所产生的二次电子束,将电子束对电子束的串扰限制在2%以下,并提供一致的成像质量。它还具有一个高速平台以提高系统的整体吞吐量,并具有一个高速计算架构来实时处理来自多个子束的数据流。

多光束检测点燃5nm之战
从实际意义来看,HMI eScan1000可以推动5nm及更高制程的晶圆检测进程。
在半导体工艺竞赛愈演愈烈的情况下,5nm已经成为各晶圆厂商争夺的下一个占地,目前玩家包括台积电、三星和英特尔。
其中台积电进展最迅速,已经拿下了苹果和华为两个大客户的旗舰手机芯片订单,下半年开启量产,2020年营收占比预计会超过10%。
三星的5nm制程也提上了进度,目前正加速韩国华城5nm生产工厂V1的建设,预计6月底前完成生产线建设,今年年底前实现量产。据外媒传言,三星也正与谷歌正合作开发采用三星5nm LPE工艺的定制Exynos芯片组,将搭载于谷歌的Pixel智能手机、Chrome OS设备甚至数据中心服务器中。
之前在制程之战中淡出许久的英特尔也蓄势待发,宣布要进军5nm制程。但并未透露更多具体的时间和信息,仅表示目前工艺研发进程可观,若一切正常,将在2023年正式推出。
5nm之战与其他节点最大的不同在于,这将是一场涉及代工厂、设备厂和材料厂等全产业链战局的大爆发。
从工艺上说。5nm是摩尔定律的一个转折点,它用finFET晶体管结构,与本质上是2D的传统平面晶体管不同,与以往的2D结构晶体管相比,FinFET工艺的特点在于,它将闸门设计成了像鱼鳍般的3D结构,把以往水平的芯片内部结构变垂直,把晶体厚度变薄。不仅能很好地接通和断开电路两侧的电流,大大降低了芯片漏电率高的问题,还大幅地缩短了晶体管之间的闸长。
同时,5nm的晶体管集成度和精细化程度比以往都更高,这导致器件关键缺陷部位尺寸变小,结构复杂,与工艺提高相对应的是检测设备要求的提高。
低于10nm的掩模节点的极其复杂的掩膜图案
目前,HMI eScan1000多光束检测设备已经进入客户验证阶段。虽然尚未透露客户是谁,但从市场情况猜测,很有可能是台积电,因为台积电是离量产最近的企业。
如果是台积电,那么这台多光束光刻机的出现将会大大提升台积电5nm产品良率,在5nm制程之战中又做实了晶圆制造龙头的地位。
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【 杀手锏|点燃5nm制程之战光刻机巨头推出光检测杀手锏,产能有望提升六倍】_原题为:《点燃5nm制程之战:光刻机巨头推出光检测杀手锏,产能有望提升六倍》