QLC闪存|替代HDD！大容量存储时代QLC未来可期 HDD|替代HDD！大容量存储时代

2018年，三星发布了首款搭载QLC颗粒的固态硬盘860 QVO，定位入门级硬盘领域，发布之后消费者对QLC固态硬盘的评价褒贬不一。
经过一年的沉淀，三星发布了860 QVO的升级版本——870 QVO，1TB起步的起步容量以及最高8TB的超大容量，新QVO系列可以说得到了口碑和性价比的双丰收。
不过对于一些用户而言，他们认为固态硬盘使用QLC颗粒就是一种“退步” 。
那么QVO系列的推出，究竟是固态硬盘发展史的进步，还是开了一次“倒车”呢？这里不着急先下结论，我们一步步来进行分析。
说在前面：QLC固态的使命，不是为了替代TLC
首先我们再来回顾一下NAND闪存存储的基本原理：存储单元通过施加不同变化的电压实现信息存储。
其实SLC/MLC/TLC/QLC颗粒的区别，就是按存储单元可存放的数据量进行区分，TLC颗粒的一个cell单元可以存储3bit信息，容量相比MLC颗粒增加1/3，擦写寿命也降至1000-3000次。
而QLC颗粒的一个cell单元可以存储4bit信息，容量相比TLC颗粒再次增加1/3，但是写入性能、擦写寿命同样会相应减少。

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目前，TLC颗粒占据着固态硬盘颗粒市场的大头，纵观固态硬盘从SLC颗粒到TLC颗粒的发展历程，我们很容易就能得出“QLC固态硬盘即将替代TLC硬盘”的结论。
实际上，QLC固态的使命，并不是为了替代TLC固态，而是为了替代HDD硬盘。
大容量存储时代，QLC未来可期
在QLC固态刚推出的时候，许多存储厂商都将首发目标对准了企业级市场，而不是消费级，原因在于，NAND厂商把QLC颗粒的硬盘定位于大容量数据盘，用于取代企业级HDD硬盘的地位。
一旦QLC闪存颗粒大规模量产，除了在连续读取性能上虽然不会领先HDD太多外，可以达到10-100TB的大容量。
在连续读取性能上虽然不会领先HDD太多，但是随机读写能力也可以远超机械硬盘，这是固态硬盘的运行原理所决定的。
同时相比待机功耗，QLC硬盘更是低上不少，因此在企业级大规模数据阵列的应用上，QLC固态硬盘可以说完胜HDD硬盘。
那么QLC闪存是如何将容量大幅提升的呢？除了上面所提到的每个cell单元的存储数据量上升之外，3D-NAND技术也是其中不可或缺的一环，它的原理是通过在同一个晶片上垂直堆叠多层存储单元，通过堆栈更高的层数，实现更大的存储密度。
三星在3D-NAND闪存技术方面已经实现大规模成熟量产，此前首发的860 QVO就已经实现单颗粒1TB容量，如今发售新一代870 QVO甚至达到了最高8TB的存储容量。

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随着成本的降低，未来QLC固态硬盘将会进入TB起步的大容量时代，是真正可能取代HDD硬盘的选择。
对于普通用户，最理想的使用场景就是使用一块TLC的NVMe硬盘作为系统盘，大容量的QLC固态硬盘作为从盘（数据盘），这样QLC闪存的优势就能够最大化的发挥了。
3D-NAND：提升QLC可靠性的良方
部分用户不看好QLC固态硬盘的普遍原因就在于QLC闪存的寿命。前面也提及到，由于先天技术原理的原因，QLC颗粒的性能和可靠性确实会有所降低。但是要知道，现在是属于3D-NAND堆栈技术的时代。
【QLC闪存|替代HDD！大容量存储时代QLC未来可期】以往2D-NAND闪存想要追求容量提升，就需要依靠制程工艺，提高晶体管密度，就像一个房间里，所有人都变小了，才能装得下更多人。