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芯片等规则被修改后 , 台积电就宣布在美建厂 , 直接投资120亿美元建设5nm芯片生产线 , 而美也承诺给台积电补贴 。
【MySQL|外媒:台积电“做十五”了】进入2022年后 , 美就已经批准了一项超过520亿美元的补贴 , 结果台积电建厂补贴却迟迟没有到账 , 英特尔甚至还明确表达了不想让台积电获得相关补贴的意思 。
由于台积电在美建厂成本超出预期 , 120亿美元根本不够 , 再加上 , 补贴迟迟没有到账 , 结果台积电表示在美建厂是我们太天真了 。
关键是 , 台积电还直接喊话美 , 超520亿美元的补贴不应该只给本土芯片企业 , 也应该给在美建厂的国外企业 。
然而 , 这一事件还没有过去 , 美就开始联合日企等研发2nm芯片 , 并表示严格防止技术泄露 , 从而实现更多2nm等芯片在本土生产制造 。
这一消息传出后 , 台积电直接对外表示 , 2nm芯片工厂将会在今年第三季度正式开建 , 台积电计划在2024年试产2nm芯片 , 2025年量产2nm芯片 。
另外 , 台积电还公布了部分2nm芯片的参数 , 其将采用环绕栅极晶体管 , 在相同功耗下 , N2比N3E速度快10~15%;
相同速度下 , 功耗降低25~30% , 密度也将提升10% 。
最主要的是 , 台积电还明确表示其将会在2024年正式拥有High-NA EUV光刻机 。
要知道 , High-NA EUV光刻机是全新一代光刻机 , 可以将芯片制程缩小至2nm芯片 , ASML曾表示该光刻机的原型机将会在2023年完成 , 2025年向市场出货等 。
也就是说 , 台积电2024年就将拥有High-NA EUV光刻机 , 这意味着ASML还是将最先进的光刻机优先出货给台积电安装、测试等 。
台积电就优先获得大量的EUV光刻机 , 才保证先进制程芯片超高的良品率和产能 , 如今 , 又将获得全新一代High-NA EUV 光刻机 , 自然会持续领先芯片制造技术 。
面对这样的情况下 , 就有外媒表示台积电做十五了 。
首先 , 台积电在美建厂其实就想获得自由出货许可 , 结果高通、三星、ASML以及英特尔等厂商都获得部分出货许可 , 而台积电却什么都没有得到 。
相比高通、ASML以及英特尔而言 , 台积电可是付出了很高的成本 , 120亿美元在美建设5nm芯片生产线 , 毕竟 , 美本土还没有能力生产制造7nm等制程的芯片 。
其次 , 台积电宣布在美建厂时 , 美承诺给补贴 , 结果工厂进行过半 , 下一步就可以进行设备入场了 , 补贴却迟迟没有到账 , 甚至还不想给台积电了 。
所以台积电才有上述表态 , 称在美建厂是我们太天真了 , 在美建厂25年的经验告诉我们 , 有效益但我们却迟迟没有扩建 。
可以说 , 台积电此举明显就是告诉那些计划在美建厂的厂商 , 一定要慎重 。
最后 , 台积电在美建设5nm芯片生产线 , 美却联合日企等搞2nm芯片 , 还要实现更多芯片在本土生产制造 , 这明显在排挤台积电 , 毕竟 , 台积电在美产能有限 。
台积电宣布建设2nm芯片工厂 , 并公布了2nm芯片的进度以及性能参数等 , 目的就是宣布自身在芯片制造技术方面是领先的 , 想超越是不现实 。
同时 , 台积电称将会在2024年获得High-NA EUV光刻机 , 也是表示自身有优先供货全 , 最先进的光刻机还将优先出货给台积电 。
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