影驰|关于我国的DUV、EUV光刻机显卡

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一般情况下， 14nm是个坎儿。 DUV的极限其实就是做28nm级， 14nm及以下EUV是正菜。今年的芯片制造，我国28nm及以上已经抢了外国芯片制造的买卖，相信很快就能以白菜价干掉它们。但14nm及以下仍是难题，在艰苦攻关中。但14nm及以下工艺基本上只用在了手机这类玩意上，只是大家对手机芯片熟悉，对其它行业芯片陌生，这其实等于放大了恐慌。
【影驰|关于我国的DUV、EUV光刻机】

我其实对芯片制造也很不熟悉，我发这个帖子的目的是想说明咱们国家的28nm及以上的芯片已经开始逐步要干掉国外芯片制造了，我国这个大市场足够大，足够培育我们的芯片制造，高级的芯片制造技术可期。网友们都很专业、对中国芯片业的拳拳之心我很感动。

看到网友们的意见，这里补充一下，光刻机只是影响芯片制造的一个很重要的因素，比如，台积电的DUV工艺做到过N+1方式的7nm ，比三星的EUV7nm效果还好。

网友:国外拆解中芯国际造的某芯片已经实现了7nm. 按照台积电和三星的经验 DUV肯定是可以加工7nm的芯片的(理论5nm 实际从良品率考虑只做到7nm)..有个曲博科技的up主最近视频讲过了..DUV 190+nm的光路. 可以直接实现40nm的尺寸. 经过三次套刻可以做到20--10--5nm. 但实际设计尺寸是56--28--14--7nm 。