闪存|破釜沉舟！国产闪存芯片仅用8年赶超国外，研发过程让人钦佩芯片|it芯片

文章图片

文章图片

文章图片

文章图片

文章图片

文章图片

居安思危，未雨绸缪如今芯片处理器、存储器、显示屏等设备的核心部件，仍无法实现关键技术自主可控，尤其美国以莫须有“理由”进行技术封锁后，华为芯片也一度陷入用一颗少一颗的困境，成为许多人心中难以抹去的伤疤。

就在前几天，有媒体报道美通过让人匪夷所思的2000亿“芯片与科学法案” ，其中就涉及变相限制中国芯片制造业发展的内容，美国行为无异于搬石头扎脚。
不可否认，由于国内工业发展起步晚，技术领域与欧美存在一定差距，然而种种困难并未让我们倒下，在国内众多企业不懈努力，我们好消息接连不断。

例如，在国产闪存芯片领域，我国企业仅用8年时间，赶超许多国外科技巨头，长江存储凭着创新突破的NAND闪存，成为该领域瞩目全球的新星。
长江存储全球员工超万人，专利申请超7000多个，是一家专注于3D NAND闪存的电路企业，覆盖计算机、移动通讯等领域，致力于成为存储技术的领先者。

如今长江存储作为比肩三星、东芝等高科技企业，曾有着一段令人敬佩的研发历程。
破釜沉舟，柳成行长江存储前身武汉新芯，基于经济衰退武汉新芯订单量也步履维艰，危急存亡之际，得到国家资金援助，在武汉新芯基础上创建长江存储。

由于闪存技术所限，产品难以与三星、东芝等内存大厂相比，深感技术差距的长江存储，将精力聚焦在与中科院的共同研发，王天不负有心人，国产第一颗32层3D NAND闪存诞生，意味着中国终于拥有知识产权自主可控的闪存芯片。

然而三星等大厂已开始量产级别更高的64层闪存，长江存储历经艰辛研发的32层闪存，落后国际水平整整一代，也意味着不可能得到市场认同。
如果想要在市场上获得一席之地，必须拥有自己核心技术，长江存储随后开启探索全新道路，注定充满未知与艰辛，当时数百人的研发团队，心中只有一个目标“破釜沉舟” ，每个月工作量均超300小时，完全不顾严寒酷暑。

2018年长江存储传来喜人消息，独门绝技Xtacking架构研发成功，并攻克64层闪存，产品在散热与性能方便均领先于三星等同类产品，然而国际大厂已开始96层闪存量产。

无论如何追赶总是落后一代，长江存储做出一个疯狂决定，跳过96层直接挑战128层，与东芝、三星等大厂掰手腕，向市场正式下战书，所幸的是，长江存储再次证明国产科技研发人员的决心，全球首款128层3D NAND闪存研发成功，凭借着行业内存储量最大，传输速度最快等优势，国产闪存芯片也因此让国外不少科技企业为之惊叹。

另一方面作为芯片生产使用的系统软件领域，近几年也迎来全新突破，一种敢为人先，颠覆传统思维的软件开发方式，也开始得到普遍认可，这就是无代码开发技术。