芯片|关于国产光刻机的一切 it芯片

文章图片

文章图片

中国的芯片制造企业把开发重点放在先进封装技术上，以绕开美国的光刻机封锁。利用现有14纳米芯片进行复杂的多芯片设计，在不使用极紫外光刻机的情况下，将14纳米芯片封装成3D配置，实现与5纳米、3纳米芯片同样的效果，而且成本要低得多。

目前国产2.5D/3D先进封装光刻机的精度为几百纳米，这两年出货也好几十台了，意味着3D封装技术已经搞定。
关于国产光刻机现在没有公开的新闻披露，可想而知其研发难度与保密程度。不过我们可以在公开的新闻中发现一些蛛丝马迹。
光源：光刻机按照光源分为 G-line 波长436 ， i-line波长365nm ， KrF波长248nm ， ArF 波长193nm ， Fi波长157nm ， EUV波长13.5nm 。其中ArF、KrF、F2波长属于深紫外DUV范围。 2020-2021年，继美国Cymer、日本Gigaphoton后，科益虹源的4台4kHz 40W KrF准分子激光器交付。

物镜：长春光机所已经掌握了EUV光刻机核心部件光学投影物镜的关键技术。金春水教授1987年毕业于浙江大学光学仪器工程学系；1990年在长春光机所获硕士学位；2003年在长春光机所获博士学位。曾经完成了国内第一套极紫外投影光刻原理装置的设计与研制，获得了极紫外投影光刻复制的150nm线宽掩模图形，实现了极紫外投影光刻的原理性贯通。
金春水率领的长春光机所项目研究团队，突破了制约我国极紫外光刻发展的超高精度非球面加工与检测、极紫外多层膜、投影物镜系统集成测试等核心单元技术，成功研制了波像差优于0.75 nm RMS 的两镜EUV 光刻物镜系统，构建了EUV 光刻曝光装置，在国内首次获得EUV 投影光刻32 nm 线宽的光刻胶曝光图形。

双工台：华卓精科已经交付了5台DWS干式双工台，其DWSi浸没式双工台正在研发中。公司已经参与了三套光刻机整机的开发。现在华卓精科手握3亿多订单，大约价值15台左右干式双工台。
浸没系统：启尔机电已经交付了2台浸没系统。
光刻胶：南开大学教授罗锋也已承担相应课题，开展极紫外光刻技术光刻胶合成制造与刻蚀评估，合作方包括了中芯旗下北方集成电路创新中心和北京超弦存储器研究院。
近日，中国科学院上海高等研究院发布博士后研究人员招聘启事，应聘人员入站后将参与Sub-7nm先进集成电路器件同步辐射表征及应用研究等课题。
【芯片|关于国产光刻机的一切】