技术|中科院5nm光刻技术,突破ASML垄断?看研发者是怎么说的

众所周知,今年7月份的时候,网上传出一则重大消息,那就是中科院发布了一篇文章《超分辨率激光光刻技术制备5纳米间隙电极和阵列》,这篇文章介绍了中科院团队研发的一种新型的5nm超高精度激光光刻加工方法。于是网友们沸腾了,把它与5nm光刻机联系起来,说中国有了5nm光刻技术,打破了ASML的封锁,还有什么弯道超车,不需要极紫外钱也能实现5nm等等。
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但当时,中科院没有对这些传闻做太多的回应,但在近日,该项目的研发者之一,中科院研究员、博士生导师刘前面对媒体采访时表示,这是一个误读,这一技术与极紫外光刻机技术是两回事。我们知道芯片的制造过程,是先通过激光把芯片设计图写到光掩膜板上,再通过光刻机,把光掩膜板上的电路图投射到涂有光刻胶的硅晶圆表面,形成电路图。每一颗芯片,都需要一套光掩膜板,可以说掩膜板就是光刻机在制造芯片时的母板,也是光刻工序前的一项工作,更是芯片制造过程中必不可少的一个的一个步骤。
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而中科院研发的5nm超高精度激光光刻加工方法,它的主要用途是制作光掩模。而EUV光刻机是设备本身制造出极紫光线,然后再利用极紫光线投射光掩膜板,进行光刻。可以说两种技术完全两码事,用途完全不一样,类型也完全不一样,两者的关系是芯片制造过程中的前后工序,所以所谓的突破ASML的封锁真的就是个误会。
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当然,目前国内制作的掩模版主要是中低端的,装备材料和技术大多来自国外,而中科院的这一技术,有望提高国内的技术水平。不过要注意的是,目前这项技术更多的还是处于理论上的,要实现真正的商用,还有很大一段距离,虽然意义非凡,但大家且慢激动,更不需要沸腾。